CN115360230A Ldmos器件的制作方法和ldmos器件 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115360230A(43)申请公布日2022.11.18

(21)申请号202210655638.3

(22)申请日2022.06.10

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

申请人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司

(51)Int.CI.

H01LH01L

H01LH01L

29/06(2006.01)

29/51(2006.01) 21/336(2006.01)29/78(2006.01)

(72)发明人嵇彤叶甜春朱纪军李彬鸿

罗军赵杰许静许滨滨

王国庆

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限

责任公司11240专利代理师霍文娟

权利要求书3页说明书15页附图10页

(54)发明名称

LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件

(57)摘要

CN115360230A本申请提供了LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件，该方法包括：提供基底，基底包括硅衬底、绝缘氧化层、半导体材料层、隔离结构以及硅材料结构，硅衬底具有相邻的第一掺杂区域和第二掺杂区域；在两