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- 2026-02-02 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115084821A(43)申请公布日2022.09.20
(21)申请号202110263204.4
(22)申请日2021.03.11
(71)申请人南方科技大学
地址518000广东省深圳市南山区桃源街
道学苑大道1088号
(72)发明人于明朱宝琪肖铭汝张青峰
(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司44414
专利代理师张全文
(51)Int.CI.
HO1P11/00(2006.01)
H01P1/20(2006.01)
HO1P5/12(2006.01)
H01Q1/36(2006.01)
权利要求书1页说明书7页附图7页
(54)发明名称
三维射频器件的制作方法及三维射频器件
(57)摘要
CN115084821A本发明涉及电子信息微波器件与制造技术领域,提供一种三维射频器件的制作方法及三维射频器件。该三维射频器件的制作方法先通过低温共烧陶瓷技术制作出切片,并在切片上形成功能结构,将各个切片组合联结后,即可形成对应功能的三维射频器件,这样一来,在切片上形成功能结构时,所受到的限制更小,加工方式也更为简单,同时,叠加后形成的三维射频器件的功能结构的尺寸也更加精准。利用该制作方法制作
CN115084821A
制作多个独立的三维射频器件的切
制作多个独立的三维射频器件的切片
在所述切片上加工形成所需的功能
结构,所述功能结构用于在各所述
切片组合后形成用于实现所述三维
射频器件电性能的结构
将具有所述功能结构的所述切片堆
叠组合形成对应的所述三维射频器
件
S1
S2
S3
CN115084821A权利要求书1/1页
2
1.一种三维射频器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
制作多个独立的三维射频器件的切片;
在所述切片上加工形成所需的功能结构,所述功能结构用于在各所述切片组合后形成用于实现所述三维射频器件电性能的结构;
将具有所述功能结构的所述切片堆叠组合形成对应的所述三维射频器件。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述切片采用低温共烧陶瓷技术制成。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述切片的厚度为1-200μm。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:将所述切片组合后形成的所述三维射频器件内部具有调谐结构。
5.一种三维射频器件,其特征在于:所述三维射频器件或所述三维射频器件的部分结构依权利要求1-4任一项所述的制作方法制作而成。
6.根据权利要求5所述的三维射频器件,其特征在于:所述三维射频器件为级联三角型拓扑结构滤波器,所述级联三角型拓扑结构滤波器包括多个叠加的三角型拓扑结构滤波器切片,所述三角型拓扑结构滤波器切片上开设有细槽结构,各所述三角型拓扑结构滤波器切片上的所述细槽结构的位置相对应。
7.根据权利要求6所述的三维射频器件,其特征在于:所述级联三角型拓扑结构滤波器包括10-100片所述三角型拓扑结构滤波器切片,所述细槽结构的槽口宽度为0.1-1.0mm。
8.根据权利要求5所述的三维射频器件,其特征在于:所述三维射频器件为折叠型拓扑结构滤波器,所述折叠型拓扑结构滤波器包括第一折叠型拓扑结构滤波器切片以及位于所述第一折叠型拓扑结构滤波器切片下方的第二折叠型拓扑结构滤波器切片,所述第一折叠型拓扑结构滤波器切片上开设有第一功能结构以及第二功能结构,所述第二折叠型拓扑结构滤波器切片上开设有所述第一功能结构,所述第一折叠型拓扑结构滤波器切片与所述第二折叠型拓扑结构滤波器切片上的所述第一功能结构位置相对应。
9.根据权利要求5所述的三维射频器件,其特征在于:所述三维射频器件为耦合器,所述耦合器包括多个叠加的耦合器切片,所述耦合器切片上开设有用于形成传输端口的第一功能结构以及用于形成隔离端口的第二功能结构,各所述耦合器切片上开设的第一功能结构及第二功能结构的位置相对应。
10.根据权利要求5所述的三维射频器件,其特征在于:所述三维射频器件为基片集成镜像介质波导天线,所述基片集成镜像介质波导天线包括基片集成镜像介质结构以及设于所述基片集成镜像介质结构两端的基片集成波导板,所述基片集成镜像介质结构由多个基片集成镜像介质切片叠加而成。
CN115084821A
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