CN115377006A 一种三维堆叠半导体器件的制作方法 （广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115377006A(43)申请公布日2022.11.22

(21)申请号202211290485.3

(22)申请日2022.10.21

(71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用

研究院

地址510535广东省广州市开发区开源大

道136号A栋

(72)发明人罗军叶甜春王云李彬鸿张骥薛静

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

专利代理师曹伟

(51)Int.CI.

HO1L21/8238(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图7页

(54)发明名称

一种三维堆叠半导体器件的制作方法

(57)摘要

CN115377006A本申请公开了一种三维堆叠半导体器件的制作方法，可应用于半导体器件制造技术领域，该方法中，先提供在衬底层上外延第一叠层材料层和第二叠层材料层的衬底结构；然后蚀刻出有源区结构，并在有源区结构上依次进行淀积、选择性蚀刻和氧化，实现氧化物在水平方向上闭合；接下来去除第一假栅结构，并为去除第一假栅结构的有源区结构构建浅槽隔离；再进行选择性蚀刻，去除部分源区，并淀积第二假栅结构，通