CN114566598A 一种发光器件、显示装置和制作方法 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114566598A(43)申请公布日2022.05.31

(21)申请号202011354418.4

(22)申请日2020.11.27

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人王铁石

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291

专利代理师于本双

(51)Int.CI.

HO1L51/50(2006.01)

HO1L51/54(2006.01)

HO1L51/56(2006.01)

HO1L27/32(2006.01)

权利要求书3页说明书14页附图6页

(54)发明名称

一种发光器件、显示装置和制作方法

(57)摘要

CN114566598A本发明公开了一种发光器件、显示装置和制作方法，以改善发光器件中电子传输层材料性能不佳，降低发光器件寿命，以及载流子不平衡，发光效率低的问题。所述发光器件包括：位于所述发光层和所述阴极层之间的电子传输层；所述电子传输层的材料包括：内核，以及包裹所述内核的壳层；当单位时间内到达所述发光层的电子数大于空穴数量，且单位时间内到达所述发光层的电子数大于空穴数量之间的差值超出预设阈值范围，减小所述内核的粒径和/或增加所述壳层的厚度；当单位时间内到达所述发光层的电子数小于空穴数量，且单位时间内到达所述发光层的电子数大于空穴数量之间的差值超出预设阈值

CN114566598A

2

1

CN114566598A权利要求书1/3页

2

1.一种发光器件，其特征在于，包括：依次叠层设置的阳极、发光层、和阴极，以及位于所述发光层和所述阴极层之间使得单位时间到达所述发光层的电子数量和空穴数量之间的差值位于预设阈值范围内的电子传输层；

所述电子传输层的材料包括：内核，以及包裹所述内核的壳层，利用所述内核和所述壳层的导电性，调控单位时间内到达所述发光层的电子数量；

当单位时间内到达所述发光层的电子数大于空穴数量，且单位时间到达所述发光层的电子数大于空穴数量之间的差值超出所述预设阈值范围，减小所述内核的粒径和/或增加所述壳层的厚度，以使单位时间内到达所述发光层的电子数量和空穴数量之间的差值位于所述预设阈值范围内；

当单位时间内到达所述发光层的电子数小于空穴数量，且单位时间内到达所述发光层的电子数大于空穴数量之间的差值超出所述预设阈值范围，增加所述内核的粒径和/或减小所述壳层的厚度，以使单位时间内到达所述发光层的电子数量和空穴数量之间的差值位于所述预设阈值范围内。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，至少在所述阴极层与所述壳层之间的间隙还填充有第一填充层，所述第一填充层的材料与所述壳层的材料相同；和/或，至少在所述壳层与所述发光层之间的间隙填充有第二填充层，所述第二填充层的材料与所述壳层的材料相同。

3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一填充层的厚度大于或等于所述电子传输层的厚度；或，所述第二填充层的厚度大于或等于所述电子传输层的厚度。

4.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二填充层的厚度大于或等于所述发光层的厚度。

5.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一填充层为经过退火工艺处理的膜层，以与所述壳层的晶相相同；和/或，所述第二填充层为经过退火工艺处理的膜层，以与所述壳层的晶相相同。

6.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述壳层的材料为金属氧化物。

7.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述金属氧化物中，所述金属处于最高价态。

8.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述壳层的材料包括以下之一或组合：

SnO?;

Cu?0;

Fe2O?;

TiO?;

Zr02;

Co0;

WO?;

In?O?;

Al?O?;

Fe?04。

9.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述内核的材料包括以下之一或组合：

CN114566598A权利要求书2/3页

3

Zn0、ZnMg0、ZnAl0、ZnLi0、ZnAg0。

10.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述壳层