摘要
摘要
钴(Co)具有较低的电阻率、优异的粘附性能以及良好的热稳定性。尤其是
当集成电路(IC)特征尺寸缩小到10nm及以下时,Co被认为是最有前景的新
一代互连金属。化学机械抛光(CMP)是IC制造工艺中最适用的平坦化技术之
一,在IC领域发挥着不可或缺的作用。然而,Co化学机械抛光背后的反应机理
尚不清楚。为了填补这些空白,本文进行了以下探索:
(1)采用反应力场分子动力学(ReaxFF
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