压包式绝缘栅双极型晶体管失效机制与应对策略深度剖析.docx

压包式绝缘栅双极型晶体管失效机制与应对策略深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）占据着举足轻重的地位，被誉为电力电子装置的“CPU”。作为一种由双极型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，IGBT融合了MOSFET的高输入阻抗、高速开关特性以及BJT的低导通压降、大电流承载能力等优点，能够高效地实现电能的转换与控制，在众多工业领域中发挥着关键作用。

从新能源发电来看，无论是风力发电中风机的变流器