CN114551456A 半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114551456A(43)申请公布日2022.05.27

(21)申请号202210087469.8

(22)申请日2022.01.25

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

G11CG11C

5/02(2006.01)

5/06(2006.01)

(72)发明人郭申张志雄桑瑞李刚张成谢海波

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

专利代理师李镇江

(51)Int.CI.

H01L27/11524(2017.01)

H01L27/11551(2017.01)

H01L27/1157(2017.01)

HO1L27/11578(2017.01)

权利要求书2页说明书9页附图9页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统

(57)摘要

CN114551456A本申请提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统，该制作方法包括：在衬底上形成介质层和多个间隔设置的第一浅隔离槽，衬底包括第一区域和第二区域，介质层填充第一浅隔离槽，第一浅隔离槽位于第一区域中，相邻两个第一浅隔离槽之间的衬底形成鳍部；形成第一开口和至少两个第二开口，第一开口暴露出鳍部的顶端，第二开口贯穿第二区域上的介质层；形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构包裹顶端，第二栅极结构位于相邻两个第二开口之间的介质层上；通过第二开口，在第二

CN114551456A

提供衬底，该衬底包括第一区域和第二区域

在该村底上形成介质层和多个间隔设置的第一浅隔离槽，该介质

层填充该第一浅隔离槽，该第一浅隔离槽位于该第一区域中，相

邻两个该第一浅隔离槽之间的该村底形成鳍部

在该介质层中形成第一开口和至少两个第二开口，该第一开口延

伸至该第一浅隔离槽内，且暴露出该鳍部的顶端，该第二开口位

于该第二区域上且贯穿该介质层

形成第一栅极结构和第二栅极结构，该第一栅极结构包裹该顶端,该第二栅极结构位于相邻两个该第二开口之间的该介质层上

通过该第二开口，在该第二区域中形成源极和漏极

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CN114551456A权利要求书1/2页

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1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述衬底上形成介质层和多个间隔设置的第一浅隔离槽，所述介质层填充所述第一浅隔离槽，所述第一浅隔离槽位于所述第一区域中，相邻两个所述第一浅隔离槽之间的所述衬底形成鳍部；

在所述介质层中形成第一开口和至少两个第二开口，所述第一开口延伸至所述第一浅隔离槽内，且暴露出所述鳍部的顶端，所述第二开口位于所述第二区域上且贯穿所述介质层；

形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构包裹所述顶端，所述第二栅极结构位于相邻两个所述第二开口之间的所述介质层上；

通过所述第二开口，在所述第二区域中形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述介质层中形成第一开口和至少两个第二开口的步骤，包括：

在所述介质层上形成第二掩膜层；

通过同一掩模版，在所述第二掩膜层上形成图案化的第二光阻层，所述第二光阻层中形成有贯穿所述第二光阻层的第一初形开口和至少两个第二初形开口，所述第二初形开口的位置对应于所述第二区域，所述第一初形开口的位置对应于所述第一区域；

通过所述第一初形开口，在所述介质层中形成第一开口，同时，通过所述第二初形开口，在所述介质层中形成第二开口。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述介质层包括栅介质层、第一掩膜层和填充层，所述在所述衬底上形成介质层和多个间隔设置的第一浅隔离槽的步骤，包括：

在所述衬底上形成所述栅介质层；

在所述栅介质层上形成所述第一掩膜层；

形成间隔设置的多个第一浅隔离槽，所述第一浅隔离槽贯穿所述第一掩膜层，且延伸至所述第一区域中的所述衬底内；

在所述第一掩膜层上形成填充层，所述填充层填充所述第一浅隔离槽。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述通过所述第一初形开口，在所述介质层中形成所述第一开口，同时，通过所述第二初形开口，在所述介质层中形成所述第二开口的步骤，包括：

通过所述第一初形