CN114551600A 半导体器件的制作方法和半导体器件 （苏州龙驰半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114551600A(43)申请公布日2022.05.27

(21)申请号202210165013.9

(22)申请日2022.02.22

(71)申请人苏州龙驰半导体科技有限公司

地址215009江苏省苏州市高新区火炬路

52号46幢131室

(72)发明人李荣伟

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240

专利代理师霍文娟

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/78(2006.01)21/336(2006.01)29/16(2006.01)29/423(2006.01)

权利要求书1页

说明书6页附图2页

(54)发明名称

4030

40

30

20

103

102-10

101/

(57)摘要

CN114551600A本申请提供了一种半导体器件的制作方法和半导体器件，该制作方法包括：提供基底，基底包括SiC层、位于SiC层表面上的P型外延层以及位于P型外延层上间隔设置的两个N+区；在两个N+区之间的P型外延层的裸露表面上形成预定金属氧化物层；在预定金属氧化物层的裸露表面上形成SiO?层；在SiO?层的裸露表面上，沉积多晶硅并图案化，形成多晶硅栅极。该方法通过在基底和SiO?层之间沉积预定金属氧化物层，实现了SiC与SiO?的分离，从而避免了在传统热氧化形成SiO?的过程中产生SiO?层陷阱及SiO?/SiC界面

CN114551600A

CN114551600A权利要求书1/1页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供基底，所述基底包括SiC层、位于所述SiC层表面上的P型外延层以及位于所述P型外延层上间隔设置的两个N+区；

在两个所述N+区之间的所述P型外延层的裸露表面上形成预定金属氧化物层，所述预定金属氧化物可以与SiO?反应形成硅酸盐；

在所述预定金属氧化物层的裸露表面上形成SiO?层；

在所述SiO?层的裸露表面上，沉积多晶硅并图案化，形成多晶硅栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在两个所述N+区之间的所述P型外延层的裸露表面上形成预定金属氧化物层，包括：

将所述基底放置在分子束外延设备的腔体中；

向所述分子束外延设备的腔体中通入气态金属和包括氧气的反应气体，以在所述基底上沉积所述预定金属氧化物层；

对形成有预定金属氧化物层的结构进行退火。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述气态金属为镧系元素。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述基底上沉积所述预定金属氧化物层的过程中，所述分子束外延设备的腔体内的气压为1e-6～10e-6Torr之间，所述基底的温度在300～370℃之间。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定金属氧化物层的厚度在1～5nm之间，所述预定金属氧化物层的介电常数在15～30之间。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对形成有预定金属氧化物层的结构进行退火的过程中，所述分子束外延设备的腔体内的温度在380～420℃之间，所述退火的时间在8~12分钟。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiO?层厚度在3～60nm之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述预定金属氧化物层的裸露表面上形

成SiO?层后，所述方法还包括：

对形成有SiO?层的结构在N?0气体环境进行退火；

对形成有SiO?层的结构在N?和H?混合气体环境进行二次退火。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，对形成有SiO?层的结构在N?0气体环境进行退火的过程中，所述退火的过程的温度在630～670℃之间，所述退火的时间在25～35秒。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，对形成有SiO?层的结构在N?和H?混合气体环境进行二次退火的过程中，所述二次退火的过程的温度在630～670℃之间，所述二次退火的时间在25～35分钟，所述N?和H?混合气体中，H?的体积占比为5～10%。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括SiC层、位于所述SiC层表面上的P型外延层以及位于所述P型外延层上间隔设置的两个N+区