6-LDO电路设计与仿真训练.docx

LDO电路设计与仿真

设计任务

基于BCD工艺（例：SMIC18BCD）完成LDO电路设计，设计要求如下：

完成带隙基准电路、误差放大器、电阻反馈网络和功率管模块的电路设计；

完成LDO关键参数仿真验证；

在-55℃~125℃范围内输出电压漂移量小于20ppm/℃；

设计电路的电源抑制比大于70dB。

轻载情况下环路增益大于80dB，相位裕度大于60°。

报告要求

给出带隙基准电路、误差放大器、电阻反馈网络和功率管电路原理图，并分析工作原理和设计思路。

完成LDO关键参数仿真验证，并对结果进行分析说明。

电路设计

本次任务电路设计基于某BCD工艺完成，使用5VMOS管完成带隙基准电路、误差放