功率集成电路基础 习题及答案 第4章习题答案.docx

功率集成电路基础 习题及答案 第4章习题答案.docx

第四章习题参考答案

IGBT的导通和关断过程主要包括哪几个阶段?其主要参数有哪些?

IGBT的导通有四个阶段,关断也有四个阶段;

导通过程:(1)关断状态(2)门极充电延迟(3)电流上升(4)续流二极管反向恢复(5)电压下降(6)门极充电;

关断过程:(1)导通状态(2)门极放电延迟(3)电压上升(4)电流下降(5)拖尾电流(6)门极放电。

重要参数:

(1)VCES:最大集-射极电压。当IGBT门极-发射极之间处于短路状态时在集电极-发射极之间能够外加的最大电压,它决定了IGBT的电压定额。

(2)ICM:最大集电极电流。集电极上容许的最大直流电流。

(3)BVGE:门-射极击穿电压。门极氧

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档