7-GGNMOS设计仿真训练.docx

GGNMOS设计仿真

器件结构和仿真任务

用SDE法建立GGNMOS结构，完成如下仿真任务：

用SDE法建立GGNMOS结构，用svisual工具查看二维结构图。

用sdevice工具仿真器件特性，在阳极加上升时间10ns，脉宽100ns的脉冲进行TLP仿真，用inspect工具观察一维曲线。

将TLP仿真数据记录并绘制TLP曲线。

报告要求

器件结构掺杂分布图、网格分布图。

器件电流分布图，分析ggnmos的工作原理。

记录不同脉冲下的电压值，并绘制TLP曲线（V-I曲线）。

搭建器件结构

打开TCADsentaurus软件，新建一个project，点击add，在tools中选择sde，进