功率集成电路基础 习题及答案 第2章习题答案.docx

习题

常见的横向高压MOS型器件有哪些？有何结构特点？

解答：常见的硅横向高压MOS型器件有LDMOS、LDIGBT。这类器件背面均为衬底，主电极和控制极在芯片上表面，器件工作时电流水平流动；漂移区的长度和浓度决定了器件击穿电压的大小。只要增加漂移区的长度，就可以提高其击穿电压，但会导致导通电阻增加。此外，常见的SOI横向高压器件包括SOI功率二极管、SOILDMOS及SOILIGBT。

横向器件的工作机理及与纵向器件是否相同？

解答：横向器件的工作机理及与纵向器件完全相同。LDMOS与VDMOS相同，导通时要求VGSVTH且VDS0；LIGBT与IGBT相同，导通时VGEVT