CN114447149A 一种边缘入射探测器及其制作方法 （上海奕瑞光电子科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114447149A(43)申请公布日2022.05.06

(21)申请号202210036573.4

(22)申请日2022.01.11

(71)申请人上海奕瑞光电子科技股份有限公司地址201201上海市浦东新区瑞庆路590号

9幢2层202室

(72)发明人翟琼华韦小庆罗宏德

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师余明伟(51Int.CL.

HO1L31/18(2006.01)

HO1L21/3065(2006.01)

HO1L31/08(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

一种边缘入射探测器及其制作方法

(57)摘要

CN114447149A本发明提供一种边缘入射探测器及其制作方法，该探测器包括半导体层、隔离层、第一电极层、导电层及第二电极层，其中，半导体层包括位于半导体层的背面表层的第一导电类型掺杂层及位于半导体层正面表层的多个第二导电类型体区，隔离层位于半导体层的上表面，且包括多个间隔设置的凹槽及位于凹槽底部并显露体区的第一开口，第一电极层位于隔离层的上表面及填充凹槽，并通过第一开口与体区电接触，导电层位于半导体层及隔离层的侧壁，并与掺杂层电接触，第二电极层位于半导体层的背面，且与掺杂层电接触。本发明通过于半导体层的侧壁设置与半导体层电接触的第一导电类型导电层，避免了设置保护环，减小了死区面积，提升了

CN114447149A

提供一第一导电类型探测器品圆，并于所述品圆的背面形成第一导电类型掺

提供一第一导电类型探测器品圆，并于所述品圆的背面形成第一导电类型掺

杂层，其中，所述品圆中包括至少一个探测器形成区：

提供一支撑基板，将所述品圆键合至所述承载基板上，且所述品圆的背面面

向所述承载基板，并从所述晶圆的正面减薄所述晶圆至预设厚度；

于所述晶圆的正面形成隔离层，再于所述隔离层中形成多个间隔设置的凹槽

,并通过所述凹槽于所述晶圆中形成第二导电类型体区：

形成贯穿所述隔离层及所述品圆的沟槽于所述探测器形成区的边缘，且所述

沟槽的底部显露出所述支撑基板，并于所述沟槽的侧壁形成第一导电类型导

电层，且所述导电层与所述掺杂层电接触；

于所述凹槽的底部形成第一开口以显露所述体区：

形成通过所述第一开口与所述体区电接触的第一电极层，去除所述承载基板

,并于所述晶圆的背面形成与所述掺杂层电接触的第二电极层以形成所述探

测器。

S3

SI

CN114447149A权利要求书1/2页

2

1.一种边缘入射探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一第一导电类型探测器晶圆，并于所述晶圆的背面形成第一导电类型掺杂层，其中，所述晶圆中包括至少一个探测器形成区；

提供一支撑基板，将所述晶圆键合至所述承载基板上，且所述晶圆的背面面向所述承载基板，并从所述晶圆的正面减薄所述晶圆至预设厚度；

于所述晶圆的正面形成隔离层，再于所述隔离层中形成多个间隔设置的凹槽，并通过所述凹槽于所述晶圆中形成第二导电类型体区；

形成贯穿所述隔离层及所述晶圆的沟槽于所述探测器形成区的边缘，且所述沟槽的底部显露出所述支撑基板，并于所述沟槽的侧壁形成第一导电类型导电层，且所述导电层与所述掺杂层电接触；

于所述凹槽的底部形成第一开口以显露所述体区；

形成通过所述第一开口与所述体区电接触的第一电极层，去除所述承载基板，并于所述晶圆的背面形成与所述掺杂层电接触的第二电极层以形成所述探测器。

2.根据权利要求1所述的边缘入射探测器的制作方法，其特征在于：减薄后，所述晶圆的厚度范围为150μm～500μm。

3.根据权利要求1所述的边缘入射探测器的制作方法，其特征在于：所述隔离层的厚度范围为2000A~6000A。

4.根据权利要求1所述的边缘入射探测器的制作方法，其特征在于：所述凹槽底部距离所述晶圆正面表面的距离范围为500A~2000A。

5.根据权利要求1所述的边缘入射探测器的制作方法，其特征在于：形成所述体区后还包括退火激活杂质的步骤。

6.根据权利要求1所述的边缘入射探测器的制作方法，其特征在于，形成所述沟槽还包括以下步骤：

于所述隔离层的上表面形成覆盖所述隔离层及填充所述凹槽的硬掩膜层，并图案化所述硬掩膜层；

基于所述硬掩膜层刻蚀