CN114447169A 一种发光二极管及其制作方法、发光器件模组 （普瑞(无锡)研发有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114447169A(43)申请公布日2022.05.06

(21)申请号202210020104.3

(22)申请日2022.01.10

(71)申请人普瑞(无锡)研发有限公司

地址214192江苏省无锡市锡山区锡山经

济开发区芙蓉三路108号

(72)发明人王锋闫晓密陈晓冰张秀敏黄慧诗

(74)专利代理机构江苏漫修律师事务所32291专利代理师熊启奎周晓东

(51)Int.CI.

H01L33/62(2010.01)

HO1L33/10(2010.01)

HO1L33/00(2010.01)

HO1L33/24(2010.01)

HO1L33/42(2010.01)

HO1L33/46(2010.01)

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种发光二极管及其制作方法、发光器件模

组

(57)摘要

CN114447169A本发明公开了一种发光二极管及其制作方法、发光器件模组，其中，所述发光二极管，包括：衬底；发光外延层，自下而上依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；绝缘层，形成于所述N型半导体层和P型半导体层上；透明导电层，形成于P型半导体层表面上，并部分覆盖所述绝缘层；保护层，覆盖所述透明导电层及N型半导体层的表面上，并露出焊盘区；电极层，覆盖所述保护层露出的焊盘区；储氢类金属或合金纳米颗粒设置在P型半导体层上，且/或N型半导体层表面为与储氢类金属或合金纳米颗粒相同形貌的纳米图形。本发明可提升发光二极管的出光效率，并提

CN114447169A

CN114447169A权利要求书1/2页

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1.一种发光二极管，包括：衬底(1);发光外延层，自下而上依次包括N型半导体层(3)、发光层(4)和P型半导体层(5);绝缘层(8),形成于所述N型半导体层(3)和P型半导体层(5)上；透明导电层(9),形成于P型半导体层(5)表面上，并部分覆盖所述绝缘层(8);保护层(10),覆盖所述透明导电层(9)及N型半导体层(3)的表面上，并露出焊盘区；电极层(11),覆盖所述保护层(10)露出的焊盘区；其特征在于，储氢类金属或合金纳米颗粒(6)设置在P型半导体层(5)上，且/或N型半导体层(3)表面为与储氢类金属或合金纳米颗粒(6)相同形貌的纳米图形(7)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：当储氢类金属或合金纳米颗粒(6)设置在P型半导体层(5)上，透明导电层(9)表面为与储氢类金属或合金纳米颗粒(6)相同形貌的纳米图形(7)。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：储氢类金属或合金纳米颗粒(6)的高度为0.5nm～5nm,且/或纳米图形(7)的高度为0.5nm～5nm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：储氢类金属或合金纳米颗粒(6)的材料为Ni、Pd、Co、Ti、Zr、Pt、Mg?Ni、LaNi?、Ti?Ni、TiNi、TiZrNi中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：储氢类金属或合金纳米颗粒(6)的形状为半球形、球形、正方体、长方体、圆柱体或圆锥体。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：P型半导体层(5)的厚度为20nm~

200nm。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：储氢类金属或合金纳米颗粒(6)设置在P型半导体层(5)上的绝缘层(8)下方区域，并且N型半导体层(3)表面粗糙度小于0.5nm。

8.一种发光二极管的制作方法，包括以下工艺步骤：

步骤S1:提供芯片衬底(1),制作发光外延层，自下而上依次包括N型半导体层(3)、发光层(4)和P型半导体层(5);

步骤S2:在P型半导体层(5)上形成储氢类金属或合金纳米薄膜，并通过快速热退火工艺形成储氢类金属或合金纳米颗粒(6);

步骤S3:利用光刻胶做掩模版，采用蚀刻技术形成N型半导体层(3)台面，同时，利用储氢类金属或合金纳米颗粒(6)作掩膜图形，在N型半导体层(3)台面上形成纳米图形(7);

步骤S4:在上述基础上，依次制作绝缘层(8)、透明导电层(9)、保护层(10)和电极层

(11);

步