CN114388363A 一种半导体器件及其制作方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114388363A

(43)申请公布日2022.04.22

(21)申请号202210292285.5

(22)申请日2022.03.24

(71)申请人晶芯成(北京)科技有限公司

地址102199北京市大兴区经济技术开发

区科创十三街29号院一区2号楼13层

1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人张阳阳谢荣源刘虹志吕振彰

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219代理人苗晓娟

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图6页

(54)发明名称

CN114388363

CN114388363A

(57)摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成漂移区和阱区；在所述漂移区内进行离子注入，形成顶部埋层区；在所述顶部埋层区上方的所述衬底表面进行氧离子注入，形成富氧区；通过氧化反应，在所述衬底表面形成氧化层，所述富氧区的所述氧化层厚度大于所述富氧区以外的所述氧化层厚度。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，可简化工艺，提高半导体器件的性能。

21

240

200

190-

102-

CN114388363A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成漂移区和阱区；

在所述漂移区内进行离子注入，形成顶部埋层区；

在所述顶部埋层区上方的所述衬底表面进行氧离子注入，形成富氧区；

通过氧化反应，在所述衬底表面形成氧化层，所述富氧区的所述氧化层厚度大于所述富氧区以外的所述氧化层厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述富氧区的形成步骤包括：

在所述漂移区和所述阱区上形成光阻层；

图案化所述光阻层，在所述漂移区上形成开口，所述开口暴露出部分所述漂移区；

以图案化的所述光阻层为掩膜，向所述开口进行离子注入，形成所述顶部埋层区；

在所述开口中注入氧离子，形成所述富氧区。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述顶部埋层区的离子注入能量为20~70keV。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述富氧区的氧离子注入能量为1~50keV。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氧化层的形成步骤包括：

将所述衬底放入反应室中；

将所述反应室温度加热到900~1100℃;

通入氮气和氧气，在所述富氧区以外的所述衬底表面形成厚度为5~60nm的氧化层，在所述富氧区形成厚度为100~500nm的氧化层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氮气和所述氧气的体积通入比例为1:3~1:10。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成所述氧化层时，所述顶部埋层区的杂质离子扩散，三维包裹所述富氧区的所述氧化层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法还包括：

蚀刻所述富氧区以外的部分所述氧化层，形成栅极氧化层和隔离氧化层，所述栅极氧化层的厚度小于所述隔离氧化层的厚度；

在所述栅极氧化层和部分所述隔离氧化层上形成栅极。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法还包括：

在所述漂移区中形成漏极；

在所述阱区中形成源极。

10.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-9任一所述的半导体器件的制作方法，其包括：

衬底；

2/2页CN114388363A权利要求

2/2页

CN114388363A

3

漂移区，位于所述衬底中，且所述漂移区内设置有顶部埋层区；

阱区，位于所述衬底中，且与所述漂移区相邻设置；

栅极氧化层，位于所述漂移区与所述阱区上；

隔离氧化层，位于所述漂移区内，所述隔离氧化层的厚度大于所述栅极氧化层的厚度，所述顶部埋层区三维包裹所述隔离氧化层。

CN114388363A说明