CN114256058A 一种亲水性基片制作方法及装置 （聚束科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114256058A

(43)申请公布日2022.03.29

(21)申请号202110774469.0

(22)申请日2021.07.08

(71)申请人聚束科技(北京)有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区永昌北路3号3幢8101-A单元

(72)发明人杨润潇李帅何伟曲士座刘辉

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

HO1J37/32(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种亲水性基片制作方法及装置

(57)摘要

CN114256058A本发明公开了一种亲水性基片制作方法及装置，该方法包括：真空腔室内通入反应气体；对所述真空腔室施加第一电压，对样品台施加第二电压，电子源发射电子束轰击所述反应气体产生第一等离子体；所述第一等离子体作用于基片表面；对所述样品台施加第三电压，所述电子源停止发射所述电子束；辉光放电产生的第二等离子体作用于所述基片表面。本发明提供的一种亲水性基片制作方法在产生第一等离子体和第二等离子体过程中启辉容易，第一等离子体和第二等离子体作用于基片后，基片的亲水性效果稳定，

CN114256058A

真空腔室内通入反应气体

对所述真空腔室施加第一电压，对样品台施加第二电压，电子源发射电子束轰击所述反应气体产生第一等离子体

所述第一等离子体作用于基片表面

对所述样品台施加第三电压，所述电子源停止发射所述电子束

辉光放电产生的第二等离子体作用于所述基片表面

S110

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CN114256058A权利要求书1/1页

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1.一种亲水性基片制作方法，其特征在于：包括：

真空腔室内通入反应气体；

对所述真空腔室施加第一电压，对样品台施加第二电压，电子源发射电子束轰击所述反应气体产生第一等离子体；

所述第一等离子体作用于基片表面；

对所述样品台施加第三电压，所述电子源停止发射所述电子束；

辉光放电产生的第二等离子体作用于所述基片表面。

2.根据权利要求1所述的亲水性基片制作方法，其特征在于：在所述真空腔室内通入反应气体之前还包括：电子束辐照所述基片表面。

3.根据权利要求2所述的亲水性基片制作方法，其特征在于：所述辐照的电子束落点能量为1KeV-5KeV;所述辐照的时间为10s-300s。

4.根据权利要求2所述的亲水性基片制作方法，其特征在于：所述电子束辐照所述基片表面时的所述真空腔室的第一真空度为小于1×10??Torr。

5.根据权利要求1所述的亲水性基片制作方法，其特征在于：所述真空腔室内通入反应气体的所述真空腔室的第二真空度为1×10?3Torr-1Torr。

6.根据权利要求1所述的亲水性基片制作方法，其特征在于：所述第一电压的电压为Okv;所述第二电压的电压为-5kv-5kv;所述第三电压的电压为-5kv-5kv。

7.根据权利要求1所述的亲水性基片制作方法，其特征在于：所述辉光放电产生的第二离子体作用于所述基片表面的时间为1min-30min。

8.根据权利要求1所述的亲水性基片制作方法，其特征在于：所述反应气体包括：氧气，或者是空气，或者是氮气，或者是氩气。

9.根据权利要求1所述的亲水性基片制作方法，其特征在于：所述基片包括：硅片，或者是硅的化合物，或者是陶瓷，或者是金属，或者是半导体，或者是碳纤维布，或者是石墨纸。

10.一种亲水性基片制作装置，其特征在于：包括：

电子源，所述电子源下端连接有真空腔室，所述真空腔室设置有可开闭的隔离门体，所述真空腔室设置有进气口和出气口；

样品台，设置于所述真空腔室内。

CN114256058A说明书1/6页

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一种亲水性基片制作方法及装置

技术领域

[0001]本发明属于表面处理技术领域，具体地说，涉及一种亲水性基片制作方法及装置。

背景技术

[0002]现有技术中，亲水性定义是带有极性基团的分子，对水有大的亲和能力，可以吸引水分子，或溶解于水。这类分子形成的固体材料的表面，易被水所润湿。具有这种特性都是物质的亲水性。

[0003]等离子体中含有大量的电子、