基于隧穿氧化硅膜钝化的n型微晶硅薄膜生长研究.pdf

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摘要

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用掺杂氢化微晶硅(μc-Si:H)层代替传统的掺杂非晶硅层可提升硅异质结

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子体增强化学气相沉积(PECVD)制备μc-Si:H薄膜可显著降低成本,但

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