CN113074803B 一种低频声波传感器及硅微悬臂梁的制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113074803B(45)授权公告日2022.07.19

(21)申请号202110326112.6

(22)申请日2021.03.26

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113074803A

(43)申请公布日2021.07.06

(73)专利权人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人鲁平唐艳秋付陆君朱旭

司马朝坦刘德明

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

专利代理师王颖翀

(56)对比文件

CN103528665A,2014.01.22

CN104865192A,2015.08.26

CN108375412A,2018.08.07

CN111854923A,2020.10.30

CN110160625A,2019.08.23

CN110849464A,2020.02.28

CN102431957A,2012.05.02

US2014091674A1,2014.04.03

刘勇.《高灵敏微悬臂梁探针设计制作及特性研究》.《万方数据》.2011,

梁明富等.《微悬臂梁制作中的牺牲层释放工艺研究》.《南京工业职业技术学院学报》

.2010,第10卷(第4期),

审查员吕新强

(51)Int.CI.

GO1H9/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种低频声波传感器及硅微悬臂梁的制作方法

(57)摘要

CN113074803B本发明公开了一种低频声波传感器及硅微悬臂梁的制作方法，属于硅微机械加工和光学传感测量技术领域，所述低频声波传感器，包括：硅微悬臂梁，为利用SOI晶圆制备的高长厚比几何结构，用于接收声波信号；输入光纤，与所述硅微悬臂梁构成FP腔体，所述硅微悬臂梁到所述输入光纤上端面的距离为FP腔长；封装结构，与所述硅微悬臂梁和所述输入光纤连接，用于固定所述硅微悬臂梁和所述输入光纤。本发明提供的硅微悬臂梁制备方法工艺简单，成本低且成品率高；本发明提供的低频声波传感器结构紧凑，制备简单且一致性好，灵敏度高，在250

CN113074803B

插芯套筒

插芯套筒

悬臂梁

预埋光纤陶瓷插芯

封装结构

CN113074803B权利要求书1/1页

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1.一种低频声波传感器，其特征在于，包括：

硅微悬臂梁，为利用SOI晶圆制备的高长厚比几何结构，其厚度小于10μm,用于接收声波信号；

输入光纤，与所述硅微悬臂梁构成FP腔体，所述硅微悬臂梁到所述输入光纤上端面的距离为FP腔长；

封装结构，与所述硅微悬臂梁和所述输入光纤连接，用于固定所述硅微悬臂梁和所述输入光纤；

其中，所述硅微悬臂梁的制作方法，包括：S1:在SOI晶圆表面沉积一定厚度的氮化硅层；所述氮化硅既作为刻蚀硬掩膜，又作为防止埋氧层内应力破坏所述悬臂梁结构的保护层；S2:利用光刻胶将悬臂梁图形转移到所述氮化硅层的掩膜上，分多次刻蚀狭缝在所述SOI晶圆的器件层形成悬臂梁结构，从背面湿法腐蚀体硅至埋氧层截止；S3:依次去除剩余所述埋氧层和所述氮化硅层，释放悬臂梁；

所述声波信号的频率为0.5～250Hz,在250Hz以下频段的响应特性与理论高度吻合。

2.如权利要求1所述的低频声波传感器，其特征在于，所述硅微悬臂梁的厚度为所述SOI晶圆中器件层的厚度。

3.如权利要求1所述的低频声波传感器，其特征在于，所述封装结构上表面设有用于卡住所述硅微悬臂梁上方片的凹槽，下方固定有用于放置预埋所述输入光纤中插芯的陶瓷套筒，所述封装结构的中心与所述硅微悬臂梁的自由端对准。

4.如权利要求1所述的低频声波传感器，其特征在于，当所述声波信号的信号为5Hz时，所述低频声波传感器对应的声压响应的相位灵敏度达28.9rad/Pa。

5.如权利要求1所述的低频声波传感器，其特征在于，所述氮化硅的沉积方法为低压化学气相沉积。

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