CN112825338A 用于bipv的透光薄膜电池及其制作方法 （重庆神华薄膜太阳能科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN112825338A布日2021.05.21

(21)申请号201911150214.6

(22)申请日2019.11.21

(71)申请人重庆神华薄膜太阳能科技有限公司地址404100重庆市北碚区云汉大道117号

附38号

申请人中国节能减排有限公司

(72)发明人郭凯赵剑张传升韩青树

(74)专利代理机构北京聿宏知识产权代理有限公司11372

代理人吴大建康志梅

(51)Int.CI.

HO1L31/0463(2014.01)

H01L31/0468(2014.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图3页

(54)发明名称

用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法

(57)摘要

CN112825338A本发明公开了一种用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法，利用激光刻线工艺对所述CIGS薄膜太阳能电池的钼背电极进行刻划，确定透光

CN112825338A

CN112825338A权利要求书1/1页

2

1.一种用于BIPV的透光薄膜电池，包括长方体的子电池带，其特征在于，所述子电池带上设有若干透光区域，所述透光区域把所述子电池带分割为若干子电池；间隔一个子电池带的两个子电池带上设有的透光区域平行，相邻的两个子电池带上设有的透光区域在垂直于所述子电池的延伸方向上有间隔。

2.根据权利要求1所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述透光区域为镂空区域。

3.根据权利要求1或2所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述透光区域的宽度为所述子电池的宽度的0.5-1倍。

4.根据权利要求1或2所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述相邻的两个子电池带上设有的透光区域在垂直于所述子电池带的延伸方向上的间隔的长度为所述子电池的宽度的0.5-2倍。

5.根据权利要求1-4任一所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述子电池的宽度为2-5mm,长度为15-25mm,所述透光区域的宽度为2-5mm,长度为5-21mm,所述相邻的两个子电池带上设有的透光区域在垂直于所述子电池带的延伸方向上的间隔的长度为2-5mm。

6.根据权利要求1-5任一所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述透光薄膜电池包括透明玻璃基板、背电极层、CIGS吸收层、CdS缓冲层、i-ZnO层和透明导电玻璃层，所述CIGS吸收层、CdS缓冲层、i-Zn0层和透明导电层上均设有P3刻划工艺形成的P3凹槽，所述P3凹槽把所述透光薄膜电池分割为长方体的子电池带。

7.根据权利要求1-6任一所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述透明玻璃基板为钠钙玻璃；和/或，所述背电极为Mo背电极；和/或，所述透明导电层为AZ0。

8.根据权利要求1-7任一所述的透光薄膜电池，其特征在于，所述透明玻璃基板的厚度为1-5mm,和/或，所述背电极层的厚度为0.2-1μm,和/或，所述CIGS吸收层的厚度为1-3μm,和/或，所述CdS缓冲层和i-ZnO层的厚度为均为20-70nm,和/或，所述透明导电层的厚度为

600-1000nm。

9.一种根据权利要求1-8任一所述的透光薄膜电池的制作方法，包括以下步骤：

S1,在透明玻璃基板上沉积背电极层；

S2,对进行P1划线，将透光区域对应位置的背电极层去除；

S3,继续沉积CIGS吸收层、CdS缓冲层和i-Zn0层，进行P2划线；

S4,生长透明导电层，进行P3划线，除了保持原来的P3划线外，将透光区域对应位置的CIGS吸收层、CdS缓冲层、i-Zn0层和透明导电层全部去除，形成透光区域。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述去除为用激光去除，优选为用530-535nm的激光去除。

CN112825338A说明书1/3页

3

用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及光伏领域，具体涉及一种用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法。

背景技术

[0002]当今全球光伏市场是以晶体硅太阳能电池为主，但高能耗的生产工艺导致能源资源的快速消耗将使