基于纳米孔阵列化金属-半导体-金属结构可调波长的中红外光吸收器件设计.docxVIP

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第1章绪论

1.1研究背景及意义

1887年，德国物理学家赫兹发现了光电效应[1]，这是物理学中一个重要而神奇的现象。当某些物质被光照射时，其内部的电子会在吸收能量后逸出而形成电流，即光生电[2]。光电效应在学界上一般分为内光电效应和外光电效应：内光电效应是指物质在光量子的作用下，其电化学性质会发生改变(比如电导率改变)的现象，根据原理的不同，内光电效应又被分为光电导效应和光生伏特效应[2,3]；外光电效应则是在高于某特定频率的电磁波（该频率称为极限频率）的照射下，某些物质内部的电子吸收能量后逸出而形成电流的现象。百年以来，基于光电效应的各种应用得到了长足发展，引发了工业技