电子荷质比实验报告：基于U-I^2曲线荷质比测量.pdfVIP

实验报告勾天杭p

题目：电子荷质比

原理：

电子质量的直接测出较难，相比之下，电子的荷质比的测量要容易的多，故测出荷质比后，

根据电量，推算出电子的质量。在实验中，细光束管中的电子通过一个电位差U而得到速

度v，由于亥姆线圈产生的磁场B垂直于电子的运动方向，故洛伦兹力成为向心力使电

22

子做半径为r的圆周运动。可推算出计算为：ε=e/m=2·U/(Br·)。亥姆线圈对中

e

的磁场B与电流I成线，即B=kI，实验中已给出该亥姆线圈B与I的对应数值

表，可以此得到k值，最终算出荷质比。

数据及处理：

两滑块内侧间距离（轨迹）：8cm

U299.8289.5280.3269.5259.8250.4239.4229.6220.2209.8

I2.0421.971.941.91.861.831.791.751.71

2

I4.161643.88093.76363.613.45963.34893.20413.06252.9241

199.9190.2179.6170.1159.7149.6139.3130.1119.6110.1100.2

1.671.621.581.541.491.441.391.341.291.241.18

2.7882.6242.4962.3712.2202.0731.9321.7951.6641.5371.392

94461616164

(1)由origin作出U--I2曲线：

LinearRegressionforData1_B:

Y=A+B*X

ParameterValueError

A-0.233490.68281

B72.053710.23537

RSDNP

0.99990.90601210.0001

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从图线可知U与I呈线，直线斜率平均值为72.05371V/A,斜率差为0.23537V/A

(2)由附录的数据算出亥姆