CN112397581B 隧道场效应晶体管及其制作方法 （光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112397581B(45)授权公告日2022.06.10

(21)申请号202011295454.8

(22)申请日2020.11.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112397581A

(43)申请公布日2021.02.23

(73)专利权人光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

地址201306上海市浦东新区南汇新城镇

环湖西二路888号C楼

(72)发明人孔繁生周华

(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294

专利代理师孙佳胤

(51)Int.CI.

HO1L29/739(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

HO1L29/15(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

(56)对比文件

US

CN

CN

CN

CN

CN

2008179664

104992982

107706235

106030817

107887445

110649089

A1,2008.07.31

A,2015.10.21

A,2018.02.16

A,2016.10.12

A,2018.04.06

A,2020.01.03

EP2808897A1,2014.12.03

WO2017171845A1,2017.10.05USB1,2018.12.04

CN101667595A,2010.03.10CN106784001A,2017.05.31

CN103151391A,2013.06.12

US2014203350A1,2014.07.24WO2016008326A1.2016.01.21

US2019334026A1,2019.10.31CN105047719A,2015.11.11

审查员邢潇楠

权利要求书2页说明书4页附图5页

(54)发明名称

22201

22

201201

202202

201a201a

(57)摘要

CN112397581B本发明提供了一种隧道场效应晶体管及其制作方法。所述隧道场效应晶体管包括：衬底表面垂直设置的源极和漏极，以及源极和漏极之间导电沟道区；导电沟道区外围由内向外环绕设置

CN112397581B

CN112397581B权利要求书1/2页

2

1.一种隧道场效应晶体管，包括：

源极、漏极、及源极和漏极之间导电沟道区；

导电沟道区外围由内向外环绕设置栅介质层和栅极，所述导电沟道区垂直于衬底表面；

所述源极设置于所述导电沟道区靠近衬底的一端，所述漏极设置于所述导电沟道区远离衬底的一端；

其特征在于，

所述源极、漏极、及导电沟道区的材料为窄带超晶格材料，所述窄带超晶格材料沿着垂直于衬底的方向生长。

2.根据权利要求1所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述窄带超晶格材料的禁带宽度范围是0.6-1.3eV。

3.根据权利要求1所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述窄带超晶格材料是IV族半导体材料为基础或III-V族化合物半导体材料为基础的超晶格材料。

4.根据权利要求3所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述IV族半导体材料选自于Si基、Ge基、以及Sn基的超晶格材料中的一种。

5.根据权利要求3所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述III-V族化合物半导体材料选自于GaAs基、InP基、以及InAs基的超晶格材料中的一种。

6.根据权利要求1所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述栅介质层在近源极部采用高介电常数材料。

7.一种隧道场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底表面具有交替设置的包括第一导电层、第一绝缘层、第二导电层