CN111968972B 一种集成芯片及其制作方法和集成电路 （深圳市汇芯通信技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111968972B(45)授权公告日2024.03.26

(21)申请号202010667857.4

(22)申请日2020.07.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111968972A

(43)申请公布日2020.11.20

(73)专利权人深圳市汇芯通信技术有限公司地址518000广东省深圳市华富街道莲花

一村社区皇岗路5001号深业上城(南区)T2栋2701

(72)发明人樊永辉许明伟樊晓兵曾学忠

(74)专利代理机构深圳市博衍知识产权代理有限公司44415

专利代理师曾新浩

(51)Int.CI.

HO1L27/06(2006.01)

H01L21/82(2006.01)

(56)对比文件

CN102290329A,2011.12.21

CN103985698A,2014.08.13

CN105655316A,2016.06.08

USB1,2019.05.14

US2003020173A1,2003.01.30CN111146235A,2020.05.12

CN101208789A,2008.06.25

CN108701682A,2018.10.23

CN110380702A,2019.10.25

CN108886350A,2018.11.23

CN109887911A,2019.06.14

JP2007288104A,2007.11.01KR20110005381A,2011.01.18

审查员唐朝东

权利要求书2页说明书9页附图12页

(54)发明名称

一种集成芯片及其制作方法和集成电路

(57)摘要

CN111968972B申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路。集成芯片包括第一功能层，以及堆叠在第一功能层表面的第二功能层，所述第一功能层与所述第二功能层连接；所述第一功能层集成了功率放大器、低噪放大器或射频开关中任意一个或多个；所述第二功能层集成了所述LC滤波器。本申请通过将芯片分层制作，使LC滤波器与功率放大器、低噪放大器或射频开关堆叠设置，

CN111968972B

CN111968972B权利要求书1/2页

2

1.一种集成芯片，其特征在于，包括第一功能层，以及堆叠在第一功能层表面的第二功能层，所述第一功能层与所述第二功能层连接；所述第一功能层集成了功率放大器、低噪放大器或射频开关中任意一个或多个；所述第二功能层集成了LC滤波器；

所述第一功能层包括晶体管和由电感、电容和/或电阻组成的匹配电路，所述晶体管与所述匹配电路相连；所述第二功能层包括电感层和电容层，所述电感层、电容层与所述匹配电路连接；

所述第二功能层的电感层设置在所述第一功能层的表面，与所述匹配电路连接；所述第二功能层的电容层设置在所述第二功能层的电感层的表面，与所述第二功能层的电感层

连接；

其中，所述第二功能层中的电感层直接沉积在所述第一功能层上，所述第二功能层的电容层直接沉积在所述第二功能层的电感层的表面，与所述匹配电路通过金属线直连。

2.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第二功能层的电感层中设有多个电感，所述第二功能层的电感层中的电感同步制作完成；

所述第二功能层的电容层中设有多个电容，所述第二功能层的电容层中的电容同步制作完成。

3.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第二功能层包括至少一个电感层和至少一个电容层，所述第二功能层的电感层和第二功能层的电容层堆叠设置。

4.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第一功能层包括：

衬底；

外延层，设置在所述衬底上，采用氮化镓系材料制成；

第一钝化层，设置在所述外延层上；

第二钝化层，设置在所述第一钝化层上；以及

第一金属间介质层，设置在所述第二钝化层上；

所述晶体管包括氮化镓高电子迁移率晶体管，所述氮化镓高电子迁移率晶体管与所述匹配电路连接，所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括：

栅极、源极和漏极，设置在所述外延层的表面；

第一金属层，设置在所述第二钝化层的上方，贯穿所述第一钝化层和第二钝化层，分别与所述源极和漏极相连；以及

第二金属层，设置在所述第一金属间介质层的上方，贯穿所述第一金属间介质层，分别与所述第一金属层连接