CN112103240B 一种基于soi的介质隔离结构制作方法及介质隔离结构 （世特美(苏州)测控技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112103240B(45)授权公告日2025.01.21

(21)申请号202011051681.6

(22)申请日2020.09.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112103240A

(43)申请公布日2020.12.18

(56)对比文件

US5480832A,1996.01.02US5872045A,1999.02.16审查员刘志新

(73)专利权人世特美(苏州)测控技术有限公司

地址215000江苏省苏州市张家港保税区

新兴产业育成中心A幢249A室

(72)发明人邵同盟

(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103

专利代理师吴芳

(51)Int.CI.

HO1L21/762(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种基于SOI的介质隔离结构制作方法及介质隔离结构

(57)摘要

CN112103240B公开了一种基于SOI的介质隔离结构制作方法及介质隔离结构，制作方法包括：在SDB硅片的顶层硅的上表面作氧化预处理得到二氧化硅层，再淀积氮化硅层；在所述氮化硅层上沉积光刻胶胶膜，并采用负胶接触式曝光；对所述氮化硅层进行干法刻蚀，对所述二氧化硅层进行湿法腐蚀，再进行深槽刻蚀；去胶；在刻蚀形成的槽内侧壁上氧化生长1.7-1.8μm厚的二氧化硅，生长环境的气压大于十个标准大气压；低压力化学气相沉积多晶硅，且所述多晶硅填满所述刻蚀形成的槽；对所述多晶硅进行表面平坦化；去除氮化硅层，再进行场氧化。本发明制作工艺复杂度低，介电隔离结构的高低压两区之间的绝缘性能良好，

CN112103240B

在SDB硅片的顶层硅的上表面作氧化预处理，使形成二氧化硅层

在所迷二氧化硅层上淀积氮化硅层

在所述氮化硅层上沉积光刻胶胶膜，并采用负胶接触式曝光

对所述氮化硅层进行干法刻蚀，

对所述二氧化硅层进行湿法腐蚀，再进行深槽刻蚀，形成槽

去除利余的光刻胶

在步骤S4中刻蚀形成的槽内侧壁上氧化生长二氧化硅，生长环境的气压大于十个标准大气压

低压力化学气相沉积多品硅，且所述多品硅填满所迷刻蚀形成的槽

对所述多品硅进行表面平坦化

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去除氮化硅层，再进行场氧化

CN112103240B权利要求书1/1页

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1.一种基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，使在硅膜厚度为20μm的SOI上实现介电隔离结构的击穿电压大于880V,所述方法包括以下步骤：

预先制作SDB硅片，所述SDB硅片由上至下包括顶层硅、埋氧层和衬底，所述顶层硅的厚度为20μm,所述埋氧层的厚度范围为5-6μm;

S1、在SDB硅片的顶层硅的上表面作氧化预处理，使形成50-55nm的二氧化硅层，所述SDB硅片采用SOI材料；

S2、在所述二氧化硅层上淀积55-60nm的氮化硅层；

S3、在所述氮化硅层上沉积光刻胶胶膜，并采用负胶接触式曝光，所述胶膜的厚度大于lμm;

S4、对所述氮化硅层进行干法刻蚀，对所述二氧化硅层进行湿法腐蚀，再进行深槽刻蚀，形成宽度大于5μm且小于6.2μm的槽，所述槽刻至所述埋氧层；

S5、去除剩余的光刻胶；

S6、在步骤S4中刻蚀形成的槽内侧壁上氧化生长二氧化硅，生长环境的气压采用10.8个标准大气压，且所述二氧化硅的生长厚度范围为1.7-1.8μm;

S7、在步骤S6形成的半成品结构表层低压力化学气相沉积多晶硅，所述多晶硅的沉积厚度大于3μm,且所述多晶硅填满所述刻蚀形成的槽；

S8、采用CMP工艺对所述多晶硅进行表面平坦化；

S9、去除氮化硅层，再进行场氧化，形成场氧化层。

2.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S6中所述二氧化硅的生长厚度范围为1.76μm。

3.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S4深槽刻蚀得到宽度为6.1μm的槽。

4.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S4中湿法腐蚀工艺采用的湿法腐蚀液包括KOH、EPW、TMAH中的任意一种。

5.一种基于SOI的介质隔离结构，其特征在于，采用如权利要求1-4中任意一项所述的制作方法制得。

6.根据权利要求5所述基于SOI的介质隔离结构，