CN111952175A 晶体管的凹槽制作方法及晶体管 （深圳大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111952175A

(43)申请公布日2020.11.17

(21)申请号202010642467.1B82Y10/00(2011.01)

(22)申请日2020.07.06

(71)申请人深圳大学

地址518000广东省深圳市南山区南海大

道3688号

(72)发明人刘新科贲建伟利健罗江流

贺威林峰黎晓华

朱德亮吕有明

(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理

有限公司11250代理人李博洋

(51)Int.CI.

H01L21/335(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

晶体管的凹槽制作方法及晶体管

CN111952175

CN111952175A

(57)摘要

本发明提出了一种晶体管的凹槽制作方法及晶体管，该方法包括：在衬底的上方外延生长外延层；在外延层的上方转移二维材料层，并继续外延生长外延层，二维材料层和外延层形成第一凹槽；在外延层的上方、第一凹槽的两侧外延生长第一势垒层和第二势垒层；在二维材料层的上方、第一势垒层的上方和第二势垒层的上方沉积介电质层，形成第二凹槽。通过该方法制作得到的晶体管的凹槽制，其凹槽表面更光滑，表面态密度更低。

在衬底的上方外延生长外延层

在外延层的上方转移二维材料层，并继续外延生长外延层，二维材料层和外延层形成第一凹槽

在外延层的上方、第一凹槽的两侧外延生长第一势垒层和第二势垒层

在二维材料层的上方、第一势垒层的上方和第二势垒层的上方沉积介电质层，形成第二凹槽

S10

S20

S30

S40

CN111952175A权利要求书1/2页

2

1.一种晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底的上方外延生长外延层；

在所述外延层的上方转移二维材料层，并继续外延生长所述外延层，使所述二维材料层和所述外延层形成第一凹槽；

在所述外延层的上方、所述第一凹槽的两侧外延生长第一势垒层和第二势垒层；

在所述二维材料层的上方、所述第一势垒层的上方和所述第二势垒层的上方沉积介电质层，形成第二凹槽。

2.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述在所述外延层的上方转移二维材料层，包括：

采用激光在所述二维材料上打出纳米带；

将所述纳米带转移至所述外延层的上方，得到所述二维材料层。

3.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述在所述外延层的上方转移二维材料层，包括：

将所述二维材料转移至所述外延层的上方；

采用激光在所述二维材料上打出纳米带，得到所述二维材料层。

4.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述二维材料层采用层间以范德瓦尔斯力结合的材料。

5.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述第一势垒层和所述第二势垒层为所采用的材料为AlGaN,且A1组分大于0且小于或等于0.3。

6.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述第一势垒层和所述第二势垒层的厚度大于15纳米。

7.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，所述外延层的材料为GaN。

8.如权利要求1所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，在衬底的上方外延生长的外延层的厚度大于或等于2微米且小于或等于10微米；

在转移所述二维材料层后，继续外延生长厚度大于0微米且小于等于1微米的所述外延层。

9.如权利要求1-8任意一项所述的晶体管的凹槽制作方法，其特征在于，在形成所述第二凹槽后，所述方法还包括：

在所述第二凹槽的上方制备栅极电极；

去除第一预设位置和第二预设位置处的介电质层，并所述第一预设位置处制备源极电极，在所述第二预设位置处制备漏极电极，得到所述晶体管，其中，所述第一预设位置为所述第一势垒层的上方，且所述源极电极与所述介电质层间隔预设宽度，所述第二预设位置为所述第二势垒层的上方，且所述源极电极与所述介电质层间隔预设宽度。

10.一种晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，形成于所述衬底上；

二维材料层，形成于所述外延层上，并与周边的外延层形成第一凹槽；

势垒层，形