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- 2026-02-09 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112492500A
(43)申请公布日2021.03.12
(21)申请号202011359976.X
(22)申请日2020.11.27
(71)申请人西人马联合测控(泉州)科技有限公
司
地址362000福建省泉州市洛江区双阳街
道新南社区
(72)发明人聂泳忠毛德丰
(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258
代理人娜拉
(51)Int.CI.
HO4RHO4RHO4R
31/00(2006.01)19/04(2006.01)
19/00(2006.01)
权利要求书2页
说明书7页附图4页
(54)发明名称
差分电容麦克风及其制作方法
3(57)摘要
3
CN112492500A本申请提供一种差分电容麦克风及其制作方法,属于硅麦克风领域,该差分电容麦克风包括:振动膜,振动膜包括层叠设置的振膜层和导电层;振膜层的材质为聚合物;导电层的电导率大于振膜层的电导率。本申请提供的差分电容麦克风基于振动膜采用了聚合物材质,由于聚合物可以应对声能产生形变并且能承受长时间的变形而不发生应力松弛,因此,可以降低差分电容
CN112492500A
CN112492500A权利要求书1/2页
2
1.一种差分电容麦克风,包括振动膜(3),其特征在于,
所述振动膜(3)包括层叠设置的振膜层(31)和导电层(32);
所述振膜层(31)的材质为聚合物;
所述导电层(32)的电导率大于所述振膜层(31)的电导率。
2.根据权利要求1所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述导电层(32)的材质选自金属、导电银浆、金属型碳管和碳纳米管中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述聚合物为聚二甲基硅氧烷和聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述差分电容麦克风还包括第一衬底(1),与所述振动膜(3)连接构成第一电容结构;
第二衬底(2),与所述振动膜(3)连接构成第二电容结构,所述第一电容结构与所述第二电容结构形成差分电容结构。
5.根据权利要求4所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述导电层(32)在所述振膜层(31)边缘预设位置具有凸起的导线连接块(301),所述第一衬底(1)上具有与所述凸起的导线连接块(301)相适配的凹槽,所述第一衬底(1)与所述振动膜(3)通过所述凹槽与所述凸起的导线连接块(301)连接;
或,所述导电层(32)在所述振膜层(31)边缘预设位置具有凹槽,所述第一衬底(1)上具有与所述凹槽相适配的凸起的导线连接块(301),所述第一衬底(1)与所述振动膜(3)通过所述凹槽与所述凸起的导线连接块(301)连接。
6.根据权利要求5所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述第一衬底(1)具有第一背板(11)、第一支撑部(12)及第一背腔(13),所述第一背板(11)通过所述第一支撑部(12)支撑,且所述第一背板(11)与所述第一支撑部(12)之间形成所述第一背腔(13);
所述第二衬底(2)具有第二背板(21)、第二支撑部(22)及第二背腔(23),所述第二背板(21)通过所述第二支撑部(22)支撑,且所述第二背板(21)与所述第二支撑部(22)之间形成所述第二背腔(23)。
7.根据权利要求6所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述振动膜(3)设置于所述第一衬底(1)及所述第二衬底(2)之间,且所述振动膜(3)通过所述第一背腔(13)与所述第一背板(11)相对设置,通过所述第二背腔(23)与所述第二背板(21)相对设置。
8.根据权利要求6所述的差分电容麦克风,其特征在于,所述第一背板(11)与所述第二背板(21)上均具有释放孔,所述振膜上具有声孔,所述释放孔与所述声孔错位布局。
9.一种差分电容麦克风制作方法,其特征在于,包括:
形成振动膜(3),在硅片(100)表面设置振膜层(31),所述振膜层(31)的材质为聚合物;
在所述振膜层(31)上设置导电层(32),并对所述导电层(32)进行图形化,所述导电层(32)的电导率大于所述振膜层(31)的电导率。
10.根据权利要求9所述的差分电容麦克风制作方法,其特征在于,
所述形成振动膜(3)的步骤包括,形成在所述振膜层(31)边缘预设位置具有凸起的导线连接块(301),或,形成在所述振膜层(31)边缘
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