深度解析(2026年)《SJT 11487-2015半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法》.pptxVIP

;

目录

一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、一、专家视角深度剖析：无接触测量技术为何成为半绝缘晶片电阻率检测的未来核心发展趋势与行业变革引擎

（一）传统接触式测量技术的根本性局限与半绝缘材料特性之间的尖锐矛盾解析

传统四探针法等接触式测量技术在半绝缘半导体晶片上遭遇原理性困境。探针与材料表面需形成欧姆接触，而半绝缘材料极高的电阻率使得微小接触电阻变化即引致巨大测量误差。此外，探针压力可能引入晶体损伤或污染，尤其对抛光晶片表面是致命缺陷。该方法无法满足非破坏性、高精度、批量快速检测的现代产业需求，成为制约半绝缘衬底材料质量监控的瓶颈。

（二）微波与太赫兹波无接触测量的物理基础：介电响应与电