CN111746172A 双面异色光学防伪元件及其制作方法 (中钞特种防伪科技有限公司).docxVIP

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CN111746172A 双面异色光学防伪元件及其制作方法 (中钞特种防伪科技有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111746172A

(43)申请公布日2020.10.09

(21)申请号201910250263.0

(22)申请日2019.03.29

(71)申请人中钞特种防伪科技有限公司

地址100070北京市丰台区科学城星火路6

申请人中国印钞造币总公司

(72)发明人胡春华朱军张义恒

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

代理人肖冰滨王晓晓

(51)Int.CI.

B42D25/328(2014.01)

B42D25/40(2014.01)

权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

双面异色光学防伪元件及其制作方法

(57)摘要

CN111746172A本发明提供一种光学防伪元件,属于光学防伪技术领域。所述光学防伪元件包括:起伏结构层;反射层,位于所述起伏结构层的局部区域;涂层,具有第一颜色特征,位于所述起伏结构层的所述局部区域;其中,所述涂层位于所述起伏结构层和所述反射层之间;其中,所述涂层和所述反射层相对所述光学防伪元件所在平面的投影位置是一致的。光学防伪元件从两侧观察均具有

CN111746172A

CN111746172A权利要求书1/2页

2

1.一种光学防伪元件,其特征在于,包括:

起伏结构层;

反射层,位于所述起伏结构层的局部区域;

涂层,具有第一颜色特征,位于所述起伏结构层的所述局部区域;

其中,所述涂层位于所述起伏结构层和所述反射层之间;

其中,所述涂层和所述反射层相对所述光学防伪元件所在平面的投影位置是一致的。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述涂层的施加量大于0.1g/m2且小于3g/m2。

3.根据权利要求2所述的光学防伪元件,其特征在于,所述涂层的施加量大于0.2g/m2且小于2g/m2。

4.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,

所述起伏结构层具有微结构;

所述微结构为周期性结构和非周期性结构中的一种结构,或为周期性结构和非周期性结构组合的结构;

所述微结构沿延展方向的横截面结构为:

正弦型结构、矩形光栅结构、半圆形结构、闪耀光栅结构中的一种结构,或正弦型结构、矩形光栅结构、半圆形结构、闪耀光栅结构中至少任意两种结构组合的结构。

5.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,

所述起伏结构层具有微结构;

所述微结构的比体积大于0.1um3/um2且小于3um3/um2。

6.根据权利要求4或5所述的光学防伪元件,其特征在于,所述微结构的比体积大于0.2um3/um2且小于2um3/um2。

7.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,

所述起伏结构层具有第一微结构;

所述涂层具有第二微结构;

其中,所述第二微结构的比体积小于相邻所述局部区域的位置的第一微结构的比体积。

8.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述涂层呈线条图案或点图案,且所述线条图案的线宽度小于0.1mm或所述点图案的点直径小于0.1mm。

9.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述反射层的材料包括铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中的一种金属,或铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中至少任意两种金属组合构成的合金。

10.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,所述反射层为多层干涉光变镀层。

11.根据权利要求10所述的光学防伪元件,其特征在于,所述多层干涉光变镀层包括:

镜面层、介电层和吸收层;

所述镜面层与所述涂层邻接;

所述镜面层的材料包括:

铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中的一种金属,或铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中至少任意两种金属

CN111746172A权利要求书2/2页

3

组合构成的合金;

所述介电层的材料包括:

氟化镁、二氧化硅、硫化锌、氮化钛、二氧化钛、一氧化钛、三氧化二钛、五氧化三钛、五氧化二钽、五氧化二铌、二氧化铈、三氧化二铋、氧化铬绿、氧化铁、氧化铪或氧化锌;

所述吸收层的材料包括:

镍、铬、铝、银、铜、锡、钛中的一种金属,或镍、铬、铝、银、铜、锡、钛中至少任意两种金属组合构成的合金。

12.根据权利要求1所述的光学防伪元件,其特征在于,还包括:

保护层,所述保护层覆盖所述涂层。

13.根据权利

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