MOSFET交流小信号参数及等效电路分析.pdfVIP

微电子电路基础

北京理工大学

ϯ的交流

小信号参数及等效

电路

2.3MOSFET的交流小信号参数及等效电路

跨导gm

=ቤ

=

跨导代表转移特性曲线的斜率，它反映了栅电压V对漏电流I的控制能

GSD

力，即反映了MOSFET的增益的大小。

2.3MOSFET的交流小信号参数及等效电路

以VGS作为参变量的gm~VDS特性曲线:

VGS

gm一般为几~几十毫西门子。

W

为了提高gm，从设计角度，应提高β，即增大L，从工艺角度，

提高迁移率，减小TOX。从电路使用角度，应提高VGS。

2.3MOSFET的交流小信号参数及等效电路

漏源电导gds

MOSFET的漏源电导gds的定义是：=ቤ

=

g是输出特性曲线的斜率，也是增量输出电阻r的倒数。

dsO

g（V−V−V）

非饱和区dsGSTDS

1

−V）

g（V

当VDS很小时dsGSTR

on

I

（g）Dsatr

饱和区dssatO

V