CN111746171A 光学防伪元件及其制作方法 （中钞特种防伪科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111746171A

(43)申请公布日2020.10.09

(21)申请号201910251304.8

(22)申请日2019.03.29

(71)申请人中钞特种防伪科技有限公司

地址100070北京市丰台区科学城星火路6

号

申请人中国印钞造币总公司

(72)发明人胡春华朱军张巍巍孙凯

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

代理人肖冰滨王晓晓

(51)Int.CI.

B42D25/324(2014.01)

B42D25/36(2014.01)

B42D25/373(2014.01)

B42D25/40(2014.01)

B42D25/45(2014.01)

B42D25/21(2014.01)

B42D25/24(2014.01)

B42D25/29(2014.01)

B42D25/22(2014.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

光学防伪元件及其制作方法

(57)摘要

CN111746171A本发明公开了一种光学防伪元件及其制作方法，属于光学防伪技术领域。所述光学防伪元件包括：起伏结构层，所述起伏结构层具有第一区域、第二区域和第三区域；所述第一区域具有第一微结构；所述第二区域具有第二微结构；所述第三区域为无结构的平坦区域；所述第二微结构的比体积大于所述第一微结构的比体积；所述第一区域和所述第三区域均具有重叠的反射层、介电层和吸收层，且所述第二区域不具有反射层；位于所述第一区域的介电层远离起伏结构层一侧的表面形貌与起伏结构层的表面形貌明显不同。光学防伪元件一侧反射观察时，第一区域具有较弱的或者不具有干涉光变效果，第三区域

CN111746171A

CN111746171A权利要求书1/2页

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1.一种光学防伪元件，其特征在于，包括：

起伏结构层，所述起伏结构层具有第一区域、第二区域和第三区域；

所述第一区域具有第一微结构；

所述第二区域具有第二微结构；

所述第三区域为无结构的平坦区域；

其中，所述第二微结构的比体积大于所述第一微结构的比体积；

其中，所述第一区域和所述第三区域均具有重叠的反射层、介电层和吸收层，且所述第二区域不具有反射层；

其中，位于所述第一区域的介电层远离所述起伏结构层一侧的表面形貌与所述起伏结构层的表面形貌明显不同。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述第一微结构为周期性结构和非周期性结构中的一种结构，或为周期性结构和非周期性结构组合的结构；

所述第一微结构沿延展方向的横截面结构为：

正弦型结构、矩形光栅结构、半圆形结构、闪耀光栅结构中的一种结构，或正弦型结构、矩形光栅结构、半圆形结构、闪耀光栅结构中至少任意两种结构组合的结构。

3.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述第一微结构的比体积范围为大于0.05um3/um2且小于0.5um3/um2。

4.根据权利要求3所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述第一微结构的比体积范围为大于0.1um3/um2且小于0.3um3/um2。

5.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述第二微结构为周期性结构和非周期性结构中的一种结构，或周期性结构和非周期性结构组合的结构；

所述第二微结构沿延展方向的横截面结构为：

正弦型结构、矩形光栅结构、半圆形结构、梯形结构、闪耀光栅结构中的一种结构，或正弦型结构、矩形光栅结构、半圆形结构、梯形结构、闪耀光栅结构中至少任意两种结构组合的结构。

6.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述第二微结构的比体积范围为大于0.1um3/um2且小于1um3/um2。

7.根据权利要求6所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述第二微结构的比体积范围为大于0.2um3/um2且小于0.5um3/um2。

8.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其特征在于，

所述反射层的材料包括：

铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中的一种金属，或铝、银、铜、锡、铬、镍、钛中至少任意两种金属组合构成的合金；

所述介电层是通过印制形成的；

所述介电层的主树脂包括：

聚氨酯、丙烯酸、聚酯中的一种树脂，或聚氨酯、丙烯酸、聚酯中至少任意两种树脂组合构成的聚合