CN111341675A 半导体封装及其制作方法 （万国半导体(开曼)股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN111341675A布日2020.06.26

(21)申请号201911271503.1

(22)申请日2019.12.12

(30)优先权数据

16/224,4882018.12.18US

HO1L23/31(2006.01)

HO1L21/78(2006.01)

HO1L23/12(2006.01)

(71)申请人万国半导体(开曼)股份有限公司地址英属西印度群岛，开曼群岛，大开曼岛

KY1-1107,邮政信箱709,玛丽街122

号，和风楼

(72)发明人薛彦迅张晓天王隆庆何约瑟牛志强

(74)专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司31323

代理人张静洁徐雯琼

(51)Int.CI.

HO1L21/56(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图25页

(54)发明名称

半导体封装及其制作方法

(57)摘要

CN111341675A本发明涉及一种半导体封装及其制作方法。半导体封装具有多根支柱或部分多根带状引脚、多个半导体器件、一个或两个塑封层以及多个电气互连。半导体封装不包括电线和夹子。应用一特定方法，制作半导体封装。该方法包括：提供可拆卸载体；形成多根支柱或多根带状引脚；固定多个半导体器件；形成一个或两个塑封层；形成

CN111341675A

途森第

CN111341675A权利要求书1/2页

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1.一种制作半导体封装的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

制备包含多个半导体器件的多个晶片；

在多个晶片的顶面和底面上进行电镀铜；

对多个晶片进行第一切割分离，形成多个分离的半导体器件；

提供可拆卸载体；

在可拆卸载体顶面上形成多根带状引脚；

将多个分离的半导体器件固定于可拆卸载体的顶面；

形成塑封层包围多根带状引脚和多个分离的半导体器件的大部分；

在塑封层上方形成多个电气互连，将多个半导体器件接入多根带状引脚；

拆除可拆卸载体以暴露一底面；

将胶带接合至暴露的底面以形成集成结构；且

对集成结构进行第二切割分离，形成多个半导体器件封装。

2.如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，其中形成多根带状引脚的步骤包含：在该步骤中在可拆卸载体顶面上电镀铜的子步骤。

3.如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，其中形成多根带状引脚的步骤包含：在该步骤中将多根预成型铜条接合至可拆卸载体顶面的子步骤。

4.如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，其中形成塑封层的步骤包含：在该步骤中将可清除薄膜粘贴于模具凹口与多个分离的半导体器件之间的子步骤。

5.如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，在形成塑封层的步骤之后，进一步包含研磨塑封层顶面。

6.如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，其中的可拆卸载体由不锈钢材料制成；且其中的多根带状引脚由铜材料制成。

7.如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，多个半导体器件包括：

多个第一MOSFET,每个第一MOSFET包含其底面上的一栅电极和一源电极；和

多个第二MOSFET,每个第二MOSFET包含其底面上的一漏电极。

8.如权利要求7所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，其中每个半导体器件封装包含：

一个第一MOSFET,其底面上的栅电极和源电极从半导体器件封装底面外露；以及，一个第二MOSFET,其底面上的漏电极从半导体器件封装底面外露。

9.如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，

在第二切割分离过程之前，多根带状引脚的第一部分和第二部分电气连接；且

在第二切割分离过程之后，多根带状引脚的第一部分和第二部分电气隔离。

10.如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，其中多根带状引脚的高度等同于多个分离的半导体器件的厚度。

11.一种半导体封装，其特征在于，包含：

布置于半导体封装第一侧的包含一个或多个引脚组的第一带状引脚部分；

布置于半导体封装第二侧的包含一个或多个引脚组的第二带状引脚部分；

多个半导体器件；

一个塑封层，包围第一带状引脚部分和第二带状引脚部分的大部分以及多个半导体器

CN111341675A权利