CN111665672A 一种双功能电致变色能量存储器件及其制作方法 (宁波祢若电子科技有限公司).docxVIP

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CN111665672A 一种双功能电致变色能量存储器件及其制作方法 (宁波祢若电子科技有限公司).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111665672A

(43)申请公布日2020.09.15

(21)申请号202010520703.2

(22)申请日2020.06.10

(71)申请人宁波祢若电子科技有限公司

地址315203浙江省宁波市镇海区蟹浦镇

慈海北路1819号

申请人中国科学院宁波材料技术与工程研

究所

(72)发明人张洪亮曹鸿涛王坤张鑫磊曹贞虎胡珊珊

(51)Int.CI.

GO2F1/153(2006.01)

GO2F1/1524(2019.01)

GO2F1/1516(2019.01)

GO2F1/161(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种双功能电致变色能量存储器件及其制

作方法

(57)摘要

CN111665672A本发明公开了一种双功能电致变色能量存储器件,所述器件包括:第一衬底,所述第一衬底上依次沉积有导电层、阴极电致变色膜层和界面层;第二衬底,所述第二衬底上依次沉积有导电层和阳极电致变色膜层;密封材料,所述密封材料基本沿周向设置在所述第一衬底和第二衬底的外周区域之间,以将所述第一衬底和第二衬底密封地相互结合并限定一空腔;及电解质,所述电解质设置在所述空腔中。本发明的双功能电致变色能量存储器件,集成互补型电致变色与能量存储双功能属性,具有多色彩,能量和功率密度

CN111665672A

CN111665672A权利要求书1/1页

2

1.一种双功能电致变色能量存储器件,其特征在于,所述器件包括:

第一衬底,所述第一衬底上依次沉积有导电层、阴极电致变色膜层和界面层;

第二衬底,所述第二衬底上依次沉积有导电层和阳极电致变色膜层;

密封材料,所述密封材料基本沿周向设置在所述第一衬底和第二衬底的外周区域之间,以将所述第一衬底和第二衬底密封地相互结合并限定一空腔;及

电解质,所述电解质设置在所述空腔中。

2.如权利要求1所述的双功能电致变色能量存储器件,其特征在于,所述阴极电致变色膜层为三氧化钨、五氧化二钒或三氧化钼中的至少一种。

3.如权利要求1所述的双功能电致变色能量存储器件,其特征在于,所述阴极电致变色膜层的膜层厚度为50~5000nm。

4.如权利要求1所述的双功能电致变色能量存储器件,其特征在于,所述界面层为二氧化锡。

5.如权利要求1所述的双功能电致变色能量存储器件,其特征在于,所述界面层的膜层厚度为5~50nm。

6.如权利要求1所述的双功能电致变色能量存储器件,其特征在于,所述阳极电致变色膜层选用普鲁士蓝、普鲁士蓝类似物及其衍生物中的至少一种。

7.如权利要求1所述的双功能电致变色能量存储器件,其特征在于,所述阳极电致变色膜层的膜层厚度为100~800nm。

8.如权利要求1所述的双功能电致变色能量存储器件,其特征在于,所述电解质由醋酸、Zn2+基盐和碳酸丙烯酯组成。

9.如权利要求8所述的双功能电致变色能量存储器件,其特征在于,所述Zn2+基盐选用三氟甲烷磺酸锌、醋酸锌、氯化锌、氟硼酸锌、草酸锌、双三氟甲基磺酸亚胺锌中的一种或多种。

10.一种如权利要求1所述的双功能电致变色能量存储器件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:

S1第一衬底及其膜层制备:提供第一衬底并在第一衬底上通过磁控溅射方法沉积导电的金属氧化物或通过溶液转移法获得石墨烯导电层,得到带有导电层的第一衬底;再在所述导电层上依次沉积阴极电致变色膜层和界面层;

S2第二衬底及其膜层制备:提供第二衬底并在第二衬底上通过磁控溅射方法沉积导电的金属氧化物或通过溶液转移法获得石墨烯导电层,得到带有导电层的第二衬底;再在所述导电层上沉积阳极电致变色膜层;

S3成品制作:将步骤S1制备得到的第一衬底和S2制备得到的第二衬底,通过密封材料沿所述第一衬底和第二衬底的外周区域进行粘结,并限定一空腔,在所述空腔中真空灌注电解质,封胶后,得到所述电致变色能量存储器件。

CN111665672A说明书1/8页

3

一种双功能电致变色能量存储器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及多功能器件的技术领域,尤其涉及一种双功能电致变色能量存

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