CN111755837A 一种开口方环结构的太赫兹窄带吸收器及其制作方法 （重庆邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111755837A

(43)申请公布日2020.10.09

(21)申请号202010772334.6

(22)申请日2020.08.04

(71)申请人重庆邮电大学

地址400000重庆市南岸区南山街道崇文

路2号

(72)发明人潘武马勇沈涛张雪雯李燚杨龙亮

(74)专利代理机构成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220

代理人李朝虎

(51)Int.CI.

HO1QGO2B

17/00(2006.01)

5/00(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种开口方环结构的太赫兹窄带吸收器及其制作方法

(57)摘要

本发明公开一种开口方环结构的太赫兹窄带吸收器，包括图案层、中间介质层和反射层从上至下依次排列，图案层由N×N个开口方环结构单元周期性排列组成，图案层紧贴于介质层表面，反射层连接在介质层底面；所述开口方环结构单元由外层方环和内层方环组成，以内层方环中心为旋转中心，在内层金属方环的上设4个90°旋转对称的开口；本发明提供的吸收器由简单的金属方环构成，结构简单，易集成，且单元结构具有对称性，能够实