CN111063735A 多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111063735A

(43)申请公布日2020.04.24

(21)申请号201911217900.0

(22)申请日2019.12.03

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维何元浩高北鸾彭紫玲杜鸣马佩军张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01L29/739(2006.01)

H01L29/08(2006.01)

H01L29/10(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法

(57)摘要

CN111063735A多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法。本发明公开了一种多级耦合栅隧穿场效应晶体管，主要解决现有隧穿场效应晶体管存在的双极关态漏电的问题，其底部为衬底(1),衬底(1)的上部自左向右依次设有源区(3)、体区(2)、漏区(4),漏区(4)的右上部设有漏极(5),源区(3)的左上部设有源极(6),体区(2)的上方设有栅介质层(7),栅介质层(7)的上方设有间隔分布的多级耦合栅(8),源区(3)、漏区(4)、漏极(5)、源极(6)、栅介质层(7)、多级耦合栅(8)的外围设有钝化层(9),本发明减小了器件双极关态漏电问题，

CN111063735A

oon个悬

oon个悬浮极板o

LgSLL上

1

L?

钝化层9

调制极板

1

2

3

T?

L?

源极6

栅介质层7

T?

漏极5

源区3

体区2

漏区4

衬底1

L?

L

L?

T?

CN111063735A权利要求书1/2页

2

1.一种多级耦合栅隧穿场效应晶体管，包括：衬底(1)、体区(2)、源区(3)、漏区(4)、漏极(5)、源极(6)、栅介质层(7)、钝化层(9);体区(2)位于栅介质层(7)下方；源区(3)位于体区(2)左侧，漏区(4)位于体区(2)右侧；源极(6)位于源区(3)左上部；漏极(5)位于漏区(4)右上部；衬底(1)位于体区(2)、源区(3)、漏区(4)的下方，其特征在于：

所述栅介质层(7),其上方设有间隔分布的多级耦合栅(8),该多级耦合栅(8)由自左向右设置的一个调制极板和n个大小相同的悬浮极板构成，n≥1;

所述钝化层(9),其位于源区(3)、漏区(4)、漏极(5)、源极(6)、栅介质层(7)、多级耦合栅(8)的外围。

2.根据权利要求1所述的隧穿场效应器件，其特征在于：

所述调制极板的宽度L?为2～100nm,厚度T?为10～60nm,其采用金属的功函数大于漏极

(5)的功函数且小于源极(6)的功函数；

所述n个大小相同的悬浮极板，其最左侧的悬浮极板与调制极板之间的间距S为0.5~20nm,相邻两悬浮极板之间的间距按自左向右的方向依次递增，且相邻两悬浮极板之间的间距均大于S,最右侧的悬浮极板的右边界水平位置不超过栅介质层(7)的右边界位置；各悬浮极板处于相互独立的浮空状态，即不与任何电极或者金属接触，且各悬浮极板采用金属的功函数均小于或等于调制极板采用金属的功函数，相邻两悬浮极板的功函数按照左侧悬浮极板功函数不小于右侧悬浮极板功函数的方式设置；每个悬浮极板的宽度L?均为1~10nm,且各悬浮极板的厚度均与调制极板的厚度T?相同。

3.根据权利要求1所述的隧穿场效应器件，其特征在于，所述衬底(1)采用InN或InGaN或Si或Ge或SiGe或其它半导体材料。

4.根据权利要求1所述的隧穿场效应器件，其特征在于，所述体区(2)采用厚度T?为5~50nm的InN或InGaN或Si或Ge或SiGe或其它半导体材料，且采用本征掺杂或者N型掺杂，掺杂浓度为5×10?~1×1017cm-3。

5.根据权利要求1所述的隧穿场效应器件，其特征在于，所述源区(3)通过对体区(2)左侧部分采用P型掺杂形成，掺杂浓度为1×101?~1×102?cm-?3,且厚度与体区(2)相同。

6.根据权