CN110600540A 基于多浮空场板结构的AlGaN-GaN肖特基势垒二极管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110600540A

(43)申请公布日2019.12.20

(21)申请号201910842962.4

(22)申请日2019.09.06

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人赵胜雷朱丹张进成张苇航边照科张雅超周弘郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

H01L29/40(2006.01)

H01L29/872(2006.01)

H01L21/329(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图1页

(54)发明名称

基于多浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法

9…967

9…9

6

7

8

5

3

1

CN110600540A本发明公开了一种基于多浮空场板结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5),势垒层(5)上方设有阳极(6)和阴