CN110629241B 一种硅材料制作方法 （上海大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN110629241B公告日2021.06.22

(21)申请号201910871221.9

(22)申请日2019.09.16

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110629241A

(43)申请公布日2019.12.31

(73)专利权人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人邹星礼庞忠亚唐蔚施天宇汪淑娟鲁雄刚许茜

(74)专利代理机构上海旭诚知识产权代理有限公司31220

代理人郑立

(51)Int.CI.

C25B1/33(2021.01)

C25B9/09(2021.01)

(56)对比文件

CN101967649A,2011.02.09

CN103103552A,2013.05.15

CN104704149A,2015.06.10

CN106207144A,2016.12.07

US2004238372A1,2004.12.02

CN104990965A,2015.10.21

CN109950494A,2019.06.28

CN101979715A,2011.02.23

CN101979712A,2011.02.23

XiaoYangetal.TowardCost-EffectiveManufacturingofSiliconSolarCells:

ElectrodepositionofHigh-QualitySi

FilmsinaCaCl2-basedMoltenSalt.

《Angew.Chem.Int.Ed.》.2017,第56卷(第47期),第15078-15082页、Supporting

Information.

审查员张海平

权利要求书1页说明书4页附图11页

(54)发明名称

一种硅材料制作方法

(57)摘要

CN110629241B本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料，通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子，或直接利用硅酸钙为原料，在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛，通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化，并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料，从而实现直接电沉积连续制备高纯硅(99.99%)材料。在恒电流或脉冲电流条件下，在850℃可实现高纯晶体硅膜(99.999%)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉

CN110629241B

SiO?+CaO(Ca2,02)离子化

氧化形成CO,

阳极产物

XCa2

溶解

复合寓子化

Ca,SiO,

溶解

SiO,电沉积

硅纳米线硅薄膜硅颗粒

硅基太阳能电池

CN110629241B权利要求书1/1页

2

1.一种硅材料制作方法，其特征在于包括以下步骤：

S1,将CaCl?-SiO?-Ca0或CaCl?-CaSiO?原料加入石英坩埚中，其中，SiO?的质量百分比为2~5%,CaO的质量百分比为2~5%,CaSiO?的质量百分比为1~5%;在400~600℃真空烘干预处理24~48h,随后在高纯氩气850℃下保温24~48h;

S2,采用两个电极分别作为阴极和阳极，在1.5~2.5V电压下进行间歇性预电解12~72h,从而获得熔盐电解池系统；

对所述熔盐电解池系统进行预电解净化，净化技术条件为两根规格相同的高纯碳棒作为阴极和阳极，在850℃和1.5~2.5V电压下进行预电解4~12h,然后取出电极并让熔盐体系保温静置8~12h后，采用新石墨电极重复此预电解步骤1~8次；

S3,将用于电沉积的基体缓慢插入所述熔盐电解池系统中；保护气氛为高纯氩气，然后采用恒电流、恒电压连续性电沉积制备高纯硅材料；定期加入质量百分比为1~5%的Si0?或CaSiO?构成电沉积体系；

电沉积条件为：恒电流10~20mA/cm2或脉冲电流条件下进行电沉积；所