CN110660751B 芯片封装件及其制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110660751B(45)授权公告日2025.04.01

(21)申请号201910293383.9

(22)申请日2019.04.12

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110660751A

(43)申请公布日2020.01.07

(30)优先权数据

62/691,6242018.06.29US16/258,6722019.01.28US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人陈冠宇苏安治叶德强黄立贤叶名世

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师康艳青姚开丽

(51)Int.CI.

H01L23/31(2006.01)

H01L23/367(2006.01)

H01L21/56(2006.01)

(56)对比文件

US2014252646A1,2014.09.11

US2010012934A1,2010.01.21

US7005319B1,2006.02.28

US2011215450A1,2011.09.08

审查员胡峻雪

权利要求书2页说明书13页附图13页

(54)发明名称

芯片封装件及其制作方法

(57)摘要

CN110690751B一种芯片封装件，包括集成电路组件、导热层、绝缘包封体及重布线路结构。所述集成电路组件包括位于所述集成电路组件的后表面处的非晶半导体部分。所述导热层覆盖所述集成电路组件的所述非晶半导体部分，其中所述导热层的导热率大于或大体上等于10W/mK。所述绝缘包封体在横向上对所述集成电路组件及所述导热层进行包封。所述重布线路结构设置在所述绝缘包

CN110690751B

CN110660751B权利要求书1/2页

2

1.一种芯片封装件，其特征在于，包括：

集成电路组件，包括位于所述集成电路组件的后表面处的非晶半导体部分；

导热层，覆盖所述集成电路组件的所述非晶半导体部分，其中所述导热层的导热率介于10W/mK到250W/mK的范围内；

绝缘包封体，对所述集成电路组件及所述导热层进行包封；

重布线路结构，设置在所述绝缘包封体及所述集成电路组件上，其中所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件；

半导体器件，设置于所述集成电路组件及所述绝缘包封体之上，其中所述半导体器件电连接所述集成电路组件；

多个导电穿孔贯穿所述绝缘包封体；以及

多个导电凸块，设置于所述半导体器件与所述多个导电穿孔贯穿之间，其中所述半导体器件通过所述多个导电凸块、所述多个导电穿孔贯及所述重布线路结构电连接所述集成电路组件。

2.根据权利要求1所述的芯片封装件，其特征在于，其中所述导热层包括第一热膏，所述第一热膏接触所述集成电路组件的所述非晶半导体部分。

3.根据权利要求1所述的芯片封装件，其特征在于，其中所述导热层包括：

第一热膏，接触所述集成电路组件的所述非晶半导体部分，所述第一热膏的导热率介于10W/mK到250W/mK的范围内；以及

第二热膏，覆盖所述第一热膏，其中所述第二热膏的导热率介于10W/mK到250W/mK的范

围内。

4.根据权利要求1所述的芯片封装件，其特征在于，其中所述导热层包括金属层，所述金属层接触所述集成电路组件的所述非晶半导体部分，且所述金属层的导热率介于20W/mK到406W/mK的范围内。

5.根据权利要求1所述的芯片封装件，其特征在于，其中所述导热层包括：

金属层，接触所述集成电路组件的所述非晶半导体部分；以及

热膏，覆盖所述金属层，其中所述热膏部分地嵌入在所述绝缘包封体中。

6.根据权利要求5所述的芯片封装件，其特征在于，其中所述金属层与所述热膏之间的接口低于所述绝缘包封体的顶表面。

7.一种芯片封装件，其特征在于，包括：

集成电路组件；

金属层，包括底表面及与所述底表面相对的顶表面，所述金属层的底表面与所述集成电路组件的后表面接触；

绝缘包封体，侧向地包封所述集成电路组件及所述金属层，所述绝缘包封体包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述金属层的所述顶表面低于所述绝缘包封体的所述第一表面；

重布线路结构，设置在所述绝缘包封体的所述第二表面及所述集成电路组件