CN110658675A 光罩的制作方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110658675A

(43)申请公布日2020.01.07

(21)申请号201910540819.X

(22)申请日2019.06.21

(30)优先权数据

62/692,3402018.06.29US

16/396,5292019.04.26US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹市新竹科学工业园区力

行六路八号

(72)发明人余志如彭丹平雷俊江方源

(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006

代理人徐金国

(51)Int.CI.

GO3F1/26(2012.01)

GO3F1/24(2012.01)

权利要求书1页说明书10页附图8页

(54)发明名称

光罩的制作方法

CN110658675

CN110658675A

(57)摘要

一种光罩的制作方法，包括针对用于执行微影制程的给定光罩布局计算光罩体积校正矩阵的步骤。光罩体积校正矩阵表示预定厚度的光罩材料的绕射场。通过将光罩体积校正矩阵应用于给定光罩布局来计算模拟光罩图案。将模拟光罩图案提供给光罩制作工具。

110GDS/OAS结构布局

220使用精密补偿模型计算理想模拟图案

114调整光罩材料补偿核心

112C计算模拟光罩图案

是

116比较理想模拟图案与模拟光罩图案

150光罩体积校正矩阵

130模拟光罩图案是

否完美匹配理想

模拟图案?

1/1页CN110658675A权利要求

1/1页

CN110658675A

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1.一种光罩的制作方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

针对用于执行一微影制程的一给定光罩布局计算一光罩体积校正矩阵，该光罩体积校正矩阵表示一预定厚度的光罩材料的一绕射场；

通过将该光罩体积校正矩阵应用于该给定光罩布局来计算一模拟光罩图案；以及将该模拟光罩图案提供给一光罩制作工具。

CN110658675A说明书1/10页

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光罩的制作方法

技术领域

[0001]本揭露是关于一种光罩的制作方法。

背景技术

[0002]随着集成电路的特征尺寸越来越小，产生在用于制造集成电路的微影制程中使用的精确光罩变得更具挑战。随着特征尺寸减小至低于用于微影术的照明辐射的绕射极限，由高阶光学作用引起的失真可能在晶圆上生成的图案中产生不需要的特征。此外，随着图案密度增大，从邻近图案绕射的光的强度不再为可忽略的。另外，对于较小波长，诸如用于远紫外线(EUV)微影术中的彼等波长，跨曝光狭缝的透镜瞳孔函数的变化不可忽略。

[0003]写在光罩上的图案经由各种光学及化学制程预补偿潜在的失真，使得失真之后将期望的图案印在晶圆上。预补偿图案通常使用经校准微影模型经过微影制程的模拟，以验证预补偿图案导致期望图案印在晶圆上。经校准微影模型在微影步骤中考虑了各种光学及化学制程。随后将经验证的预补偿图案印在用于制造制程的光罩上。

发明内容

[0004]本揭露的一实施方式提供了一种光罩的制作方法，包括针对用于执行微影制程的给定光罩布局计算光罩体积校正矩阵的步骤。光罩体积校正矩阵表示预定厚度的光罩材料的绕射场。通过将光罩体积校正矩阵应用于给定光罩设计来计算模拟光罩图案。将模拟光罩图案提供给光罩制作工具。

附图说明

[0005]当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭示案。应强调，根据工业标准实务，各种特征未按比例绘制并且仅用作说明目的。事实上，为论述清楚，可任意地增加或缩小各特征的尺寸。

[0006]图1图示根据本揭示的一些实施例的制造用于微影术的光罩的方法的流程图；

[0007]图2示意性地图示根据本揭示的一些实施例的用于计算DUV光罩的3D绕射场的参考点；

[0008]图3图示根据本揭示的一些实施例的从DUV光罩的经计算3D绕射场计算经校正2D绕射场的方法的流程图；

[0009]图4示意性地图示根据本揭示的一些实施例的用于计算EUV光罩的3D绕射场的参考点；

[0010]图5图示根据本揭示的一些实施例的从EUV光罩的经计算3D绕射场计算经校正2D绕射场的方法的流程图；

[0011]图6图示根据本揭示的一些实施例的计算光罩体积校正矩阵的流程图，此矩阵用于基于3D绕射场计算模拟光罩图案；

[0012]