CN110923819A 一种高定向精度硅籽晶制作方法 （杭州电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110923819A

(43)申请公布日2020.03.27

(21)申请号201911072014.3

(22)申请日2019.11.05

(71)申请人杭州电子科技大学

地址310018浙江省杭州市下沙高教园区2

号大街

(72)发明人季振国李阳阳席俊华

(74)专利代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)33240

代理人杨舟涛

(51)Int.CI.

C30B35/00(2006.01)

C30B29/06(2006.01)

C30B15/36(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种高定向精度硅籽晶制作方法

(57)摘要

CN110923819A本发明涉及一种高定向精度硅籽晶制作方法。本发明方法首先在圆柱体硅单晶晶锭一个端面上标注相互垂直的两条直径，并在圆柱体侧壁上沿轴向标注四条直线，然后在标注直径的一端切割下圆片形硅片，根据四条直线将硅片进行定向，确定该硅片与特定晶向的偏离程度和偏离方向，根据该方向标注出在硅片圆周上的起始点，将硅片恢复至硅单晶晶锭原来位置，并置于底座上，在另一个端面上对应起始点位置根据偏离程度垫高，将套筒套在底座上，注入环氧树脂并固化，最后根据需要的硅籽晶直径钻取圆柱形的圆柱形籽晶。本发明方法原理清楚、方法简单，制作

CN110923819A

CN110923819A权利要求书1/1页

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1.一种高定向精度硅籽晶制作方法，其特征在于具体步骤如下：

步骤(1).截取一段所需取向的圆柱体硅单晶晶锭，经滚圆、端面机械抛光后，在圆柱体一个端面上标注相互垂直的两条直径AB和CD,然后以A、B、C、D为起点，以另一个端面为终点，在圆柱体侧壁上沿轴向标注四条直线AA′、BB′、CC′、DD′;

步骤(2).用切割机将硅单晶晶锭在标注直径的一端切割下一片厚度为0.5～2mm的圆片形硅片；

步骤(3).将切割下的硅片用XRD衍射仪进行定向，确定该硅片与特定晶向的偏离程度和偏离方向；具体如下：

(3-1).将硅片端面的AB线与XRD衍射仪的X射线-探测器平面平行，以θ-20方式扫描，确定AB方向特定晶向对应的衍射角201;

(3-2).将硅片端面转动180度，以θ-2θ扫描，确定BA方向特定晶向对应的衍射角2θ2;得

到沿AB方向的偏离角

(3-3).将硅片端面的CD线与XRD衍射仪的X射线-探测器平面平行，以θ-20扫描，确定CD方向特定晶向对应的衍射角203;

(3-4).将硅片端面再次转动180度，以θ-2θ扫描，确定DC方向特定晶向对应的衍射角2

θ4;得到沿CD方向的偏离角

(3-5).计算特定晶向的总偏离角Y::γ=√a2+β2;

(3-6).假设硅片特定晶向的衍射角为2θ0,将XRD衍射仪的衍射角20设置到2θo+2γ处，改变硅片的方位角，找出与特定晶向衍射强度极大值对应的方位角，此方向即为偏离最大的方向；

在硅片端面上标注出与XRD衍射仪的X射线-探测器平面平行的直径EF,在直径的连个端点标记E、F,并标示箭头方向；

步骤(4).将标注直径EF后的硅片恢复至硅单晶晶锭原来所在位置，然后以E为起点，以圆柱体另一个端面为终点，在圆柱体侧壁上沿轴向标注直线EE′;

步骤(5).将硅单晶晶锭置于底座上；

所述的底座为台阶圆柱体，包括下部的圆柱形的基底和上部的圆柱形的定位块，基底与定位块同心设置，基底端面直径D?大于定位块端面直径D?,定位块端面直径D?大于硅单晶晶锭端面直径D;

步骤(6).在硅单晶晶锭的E′点处的下端面垫一片金属薄片，将硅单晶晶锭的E′点抬高h,h=Dsinγ,即纠正了硅单晶晶锭的晶向偏差；

步骤(7).将套筒套在底座上，在套筒内注入环氧树脂4,并固化；

所述的套筒为两端开放的圆柱筒，D?D?D?,D?为套筒内径；

步骤(8).将固化在一起的硅单晶晶锭、底座和套筒置于钻孔机，根据需要的硅籽晶直径选定空心金刚砂钻头，钻取圆柱形的圆柱形籽晶，得到晶向偏差很小的硅籽晶。

CN110923819A说明书1/4页