CN110783417A 一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅 （国家纳米科学中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110783417A

(43)申请公布日2020.02.11

(21)申请号201911089405.6

(22)申请日2019.11.08

(71)申请人国家纳米科学中心

地址100190北京市海淀区中关村北一条

11号

(72)发明人徐丽华褚卫国陈佩佩闫兰琴

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人巩克栋

(51)Int.CI.

HO1L31/0236(2006.01)

HO1L33/22(2010.01)

C30B33/12(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅

(57)摘要

CN110783417A本发明涉及一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅，所述方法包括：1)采用等离子体处理方法，对硅片进行表面处理，在硅片表面形成点状非连续Si0x掩膜，处理时间决定黑硅锥状结构的密度；2)然后进行等离子体刻蚀，即在硅表面制得锥状陷光结构，刻蚀时间决定锥状结构的深度。本发明的方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性的黑硅，吸光特性可通过结构的密度和深度分别进行调控。而且，该方法工艺流程简单、成本低、重复性好，能够直接制备大面积的黑硅，具有很高的制备效

CN110783417A

硅表面等离子体处理

硅表面等离子体处理

低温低频刻蚀

得到微纳结构深度

和密度可调的大面

积黑硅

CN110783417A权利要求书1/2页

2

1.一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)采用等离子体处理方法，对硅片进行表面处理；

(2)然后进行等离子体刻蚀，即在硅表面制得锥状陷光结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述等离子体处理方法为：氧等离子体处理；

优选地，步骤(1)所述等离子体处理中，采用氧气进行轰击；

或者，步骤(1)所述等离子体处理中，采用氩气进行轰击，然后通入氧气1分钟以上或暴露在空气中1分钟以上，优选暴露在空气中5分钟以上；

优选地，通入氧气时间不超过1小时，优选不超过30分钟；

优选地，暴露在空气中的时间不超过24h。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述等离子体处理方法包括：将硅片置于产生等离子体的设备腔室内，进行表面处理；

优选地，所述产生等离子体的设备包括反应离子刻蚀RIE或电感耦合等离子刻蚀系统ICP中的任意一种；

优选地，步骤(1)所述等离子体处理的时间为1～10min。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述等离子体刻蚀为低温等离子体刻蚀，温度优选为-120～-80℃;

优选地，步骤(2)所述等离子刻蚀的时间为2～5min。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述等离子刻蚀的真空度为5～10mTorr;

优选地，步骤(2)所述等离子体刻蚀的刻蚀的气体为SF?和02;

优选地，刻蚀气体SF?的流量为30～40sccm,刻蚀气体02的流量为10～20sccm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括重复至少1次步骤(2),以实现具有分级结构的黑硅制备。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述等离子体刻蚀过程中，硅片置于下电极的载片台上；

优选地，步骤(2)在等离子体刻蚀过程中，硅片与载片之间涂有导热物质。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用脉冲低频功率源作为下电极激励源，优选采用占空比为10～50%的200～500Hz脉冲电源；

优选地，步骤(2)在等离子体刻蚀过程中，上电极功率优选为300～500W,下电极功率优选为5～10W。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)硅片表面氧等离子体处理

将硅片置于反应离子刻蚀RIE或电感耦合等离子刻蚀系统ICP的设备腔室内，通入氧气，进行氧等离子体处理1～10min;

(2)等离子体刻蚀

将硅片置于反应离子刻蚀RIE或电感耦合等离子刻蚀系统ICP中，下电极载片台温度设为-120～-80℃,真空度为5～10mTorr,通入气体SF?和02,SF?流量30～40sccm,O?流量10