CN110690161A 存储器及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110690161A

(43)申请公布日2020.01.14

(21)申请号201911257760.X

(22)申请日2019.12.10

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市洪山区东湖开

发区关东科技工业园华光大道18号

7018室

(72)发明人梅国柱江宁吴智鹏

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

代理人高洁张颖玲

(51)Int.CI.

HO1L21/762(2006.01)

H01L27/1157(2017.01)

HO1L27/11582(2017.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

存储器及其制作方法

(57)摘要

S100

本发明实施例公开了一种存储器及其制作

形成至少一端为台阶结构的堆叠区域

方法，所述方法包括：形成至少一端为台阶结构

的堆叠区域；形成覆盖所述台阶结构和边缘区域的介质层；其中，所述边缘区域位于所述台阶结

形成覆盖台阶结构和边缘区域的介质层；其中，边缘区域位于台阶结构的侧边

S110

构的侧边；形成贯穿所述介质层的沟道；其中，所述沟道用于释放所述介质层中的至少部分应力。

形成贯穿介质层的沟道；其中，沟道用于释放介质层中的至少部分应力

S120

CN

CN110690161A

CN110690161A权利要求书1/2页

2

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

形成至少一端为台阶结构的堆叠区域；

形成覆盖所述台阶结构和边缘区域的介质层；其中，所述边缘区域位于所述台阶结构的侧边；

形成贯穿所述介质层的沟道；其中，所述沟道用于释放所述介质层中的至少部分应力。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成贯穿所述介质层的沟道，包括：

形成沿第一方向贯穿所述介质层的所述沟道；其中，所述第一方向垂直于所述堆叠区域；

和/或，

形成沿第一方向和第二方向贯穿所述介质层的所述沟道；其中，所述第一方向垂直于所述堆叠区域，所述第一方向垂直于所述第二方向。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成贯穿所述介质层的沟道，包括：

在覆盖所述台阶结构的所述介质层中形成所述沟道；

和/或，

在覆盖所述边缘区域的所述介质层中形成所述沟道。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成贯穿所述介质层的沟道，包括：

形成沿第一方向贯穿所述介质层的多个所述沟道；其中，所述第一方向垂直于所述堆叠区域，沿第三方向并列排布的相邻两个所述沟道之间的间距相同，所述第三方向垂直于所述第一方向，且所述第三方向平行于所述堆叠区域所在平面。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

沿第四方向并列排布的相邻两个所述沟道之间的间距，不同于沿所述第三方向并列排布的相邻两个所述沟道之间的间距不同；其中，所述第四方向垂直于所述第一方向，且所述第四方向垂直于所述第三方向。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对形成有所述沟道的介质层进行热处理；其中，所述热处理用于减少所述介质层的缺陷。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成至少一端为台阶结构的堆叠区域后，基于所述台阶结构的和所述边缘区域的形貌，形成覆盖所述台阶结构和所述边缘区域的连接层；

所述形成覆盖所述台阶结构和边缘区域的介质层，包括：

形成覆盖所述连接层的所述介质层。

8.一种存储器，其特征在于，包括：

堆叠区域，所述堆叠区域的至少一端包括台阶结构；

介质层，覆盖所述台阶结构和边缘区域；其中，所述边缘区域位于所述台阶结构的侧边；

沟道，贯穿所述介质层，用于释放所述介质层中的至少部分应力。

9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，

所述沟道，沿第一方向贯穿所述介质层；其中，所述第一方向垂直于所述堆叠区域；

和/或，

CN110690161A权利要求书2/2页

3

所述沟道，沿第一方向和第二方向贯穿所述介质层；其中，所述第一方向垂直于所述堆叠区域，所述第一方向垂直于所述第二方向。

10.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，

所述沟道，贯穿覆盖所述台阶结构的所述介质层；