半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类标准立项修订与发展报告.docxVIP

《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类》标准发展研究报告

EnglishTitle:DevelopmentResearchReportontheStandardof“Semiconductordevices—Non-destructiverecognitioncriteriafordefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwafersforpowerdevices—Part1:Classificationofdefects”

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摘要

本报告旨在系统阐述国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类》的立项背景、核心内容、技术价值及其对产业发展的深远意义。随着全球能源转型与“双碳”战略的推进，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料因其优异的物理性能，已成为新能源汽车、轨道交通、智能电网、5G通信等高端领域功率器件的核心基础材料。碳化硅外延片作为连接衬底与器件的关键桥梁，其内部缺陷的密度与类型直接决定了最终功率器件的性能、良率与长期可靠性。然而，长期以来，我国在该领域缺乏统一的缺陷分类与识别标准，导致产业链上下游在材料评价、质量控制和商业沟通中存在障碍，制约了产业的协同发展与技术升级。

本报告详细分析了该标准制定的紧迫性与必要性，指出其等同采用国际电工委员会标准IEC63068-1:2019，实现了与国际先进水平的接轨。标准的核心技术内容在于系统定义了47个关键术语，并基于晶体学原理及光学显微镜、光致发光（PL）、X射线形貌术等无损检测方法，将4H-SiC同质外延片中的缺陷科学划分为14个大类。该标准的制定与实施，将为我国碳化硅外延材料的生产、检测、应用及科研提供统一、权威的技术语言和判据依据，有效提升材料质量的可控性与可比性，降低产业链沟通成本，加速国产SiC器件的产业化进程与市场竞争力提升，对我国抢占第三代半导体战略制高点具有重要的支撑作用。

关键词：碳化硅；同质外延片；缺陷分类；无损检测；功率器件；第三代半导体；标准化；IEC63068-1

Keywords:SiliconCarbide(SiC);HomoepitaxialWafer;DefectClassification;Non-destructiveTesting;PowerDevice;Third-generationSemiconductor;Standardization;IEC63068-1

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正文

一、立项背景与战略意义

当前，全球半导体产业正经历从传统硅基器件向以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带（第三代）半导体器件的深刻变革。碳化硅材料凭借其高击穿电场（约为硅的10倍）、高热导率（约为硅的3倍）、高饱和电子漂移速度以及可在高温下稳定工作等卓越的物理化学特性，成为制造高压、高频、高温、高功率密度功率半导体器件的理想选择。其在新能源汽车电驱系统、车载充电器、充电桩、光伏逆变器、工业电机驱动及轨道交通等领域的应用正迅速铺开，市场前景广阔。

在这一全球性产业浪潮中，我国已将第三代半导体列为国家战略性新兴产业发展的重点方向。国家层面相继出台的《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》、《新材料产业发展指南》以及《重点新材料首批次应用示范指导目录》等政策文件，均明确将碳化硅等宽禁带半导体材料列为关键先进半导体材料，并强调建立和完善相关标准体系的重要性。其中，碳化硅外延片作为“衬底-外延-器件”产业链中的关键中间材料，其质量直接决定了终端器件的性能上限。

碳化硅同质外延片是指在碳化硅单晶抛光衬底上，通过化学气相沉积（CVD）等技术，外延生长一层具有特定导电类型、载流子浓度、厚度及完美晶格结构的单晶薄膜。然而，受衬底质量及外延生长工艺复杂性的影响，外延层中不可避免地会引入或继承各类晶体缺陷，如位错、堆垛层错、微管、包裹体等。这些缺陷作为载流子的散射中心和复合中心，会严重劣化器件的导通电阻、阻断电压、开关特性，并可能成为器件在长期高压、高温工作条件下失效的源头，直接影响器件的成品率与长期可靠性。

因此，对碳化硅外延片中的缺陷进行精确、统一的检测、识别与分类，是材料研发、工艺优化、质量控制和器件设计的基础前提。然而，在标准立项之前，我国在该领域缺乏统一的国家或行业标准，各企业、研究机构多采用内部方法或参考国外文献，导致缺陷命名混乱、分类不一、检测结果可比性差，严重阻碍了产业链上下游的技术交流、质量对标与协同攻关。国际电工委员会（IEC）已于2019年发布了IEC63068-1:2019标准，为全球SiC外延缺陷分类提供了