CN110767543A 一种半导体材料的触头制作方法 （苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110767543A

(43)申请公布日2020.02.07

(21)申请号201911017260.9

(22)申请日2019.10.24

(71)申请人苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司

地址221300江苏省徐州市邳州市邳州经

济开发区辽河西路88号

(72)发明人闫一方

(74)专利代理机构北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)11589

代理人王志敏

(51)Int.CI.

H01L21/28(2006.01)

权利要求书1页说明书4页

(54)发明名称

一种半导体材料的触头制作方法

(57)摘要

CN110767543A本发明提供一种半导体材料的触头制作方法，涉及材料科学技术领域。该半导体材料的触头制作方法，包括以下步骤：S1.准备一半导体材料作为基板，对基板的表面进行抛光处理，然后去除基板表面的污物，并将基板放入到HCl溶液中浸泡3-5min,取出后放入到真空环境中，利用去离子水对其表面进行反复冲洗，最后利用氮气对其进行干燥处理；S2.在基板表面形成多个触头区，然后利用溅射法对基板表面进行钝化，形成二氧化硅钝化层，钝化温度为800-1200℃。通过制作触头的过程中，在基板的表面形成两层钝化层，使得半导体材料的表面以及触头位置都不

CN110767543A

CN110767543A权利要求书1/1页

2

1.一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1.准备一半导体材料作为基板，对基板的表面进行抛光处理，然后去除基板表面的污物，并将基板放入到HCl溶液中浸泡3-5min,取出后放入到真空环境中，利用去离子水对其表面进行反复冲洗，最后利用氮气对其进行干燥处理；

S2.在基板表面形成多个触头区，然后利用溅射法对基板表面进行钝化，形成二氧化硅钝化层，钝化温度为800-1200℃,取出钝化后的基板在通入氮气的真空环境下自然冷却；

S3.在触头区内设置金属片，在真空箱中将金属片焊接在基板上，然后将金属片进行击穿处理并形成触头，同时将多个触头之间进行电连接；

S4.在触头上设置一层掩膜，制作钝化层靶材，利用化学沉淀法在基板表面形成第二层钝化层，其中靶材由以下重量份成分组成：氮化铝20-30份、氮化硅30-50份、三氧化钨10-30份与二氧化钛15-25份；

S5.待半导体材料恢复至室温之后，对半导体材料的触头进行测试，分析半导体材料的相关运行参数，对触头的性能进行评估。

2.根据权利要求1所述的一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：所述靶材制作步骤如下：

1:)按照比例准备好氮化铝、氮化硅、三氧化钨与二氧化钛，将氮化铝、氮化硅、三氧化钨与二氧化钛置于混合装置中混合均匀；

2)将混合物取出对其进行煅烧，然后依次进行压块和烧结，得到陶瓷靶材，其中烧结的温度为800-1000℃,烧结时间为2-6小时。

3.根据权利要求1所述的一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：所述靶材由以下重量份成分组成：氮化铝20份、氮化硅30份、三氧化钨10份与二氧化钛15份。

4.根据权利要求1所述的一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：所述靶材由以下重量份成分组成：氮化铝25份、氮化硅40份、三氧化钨20份与二氧化钛20份。

5.根据权利要求1所述的一种半导体材料的触头制作方法，其特征在于：所述靶材由以下重量份成分组成：氮化铝30份、氮化硅50份、三氧化钨30份与二氧化钛25份。

CN110767543A说明书1/4页

3

一种半导体材料的触头制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及材料科学技术领域，具体为一种半导体材料的触头制作方法。

背景技术

[0002]在半导体器件的生产中，或者在半导体器件被集成到电路中时，需要形成半导体材料与一个金属导体之间的电连接，特别地，太阳能电池的生产，需要与半导体材料的电触头连接，以移走该半导体材料中产生的电荷载流子，通常希望这种连接是永久可靠的，所以这种触头连接必须与半导体材料接合在一起，另外，还希望所采用的材料具有尽可能好的导电性；一方面希望对材料的要求尽可能地低，另一方面希望以最小的表面面积形成具