CN109698213A 半导体结构及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109698213A布日2019.04.30

(21)申请号201710998624.0

(22)申请日2017.10.20

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人杨玉如刘志建谢朝景周孝邦

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

代理人陈小雯

(51)Int.CI.

HO1L27/24(2006.01)

HO1L21/8239(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

半导体结构及其制作方法

(57)摘要

CN109698213A本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一鳍状晶体管，位于一基底上，该鳍状晶体管包含有一栅极结构跨越于一鳍状结构上，以及至少一源/漏极区，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM),包含一下电极、一电阻

CN109698213A

CN109698213A权利要求书1/1页

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1.一种半导体结构，包含有：

鳍状晶体管，位于一基底上，该鳍状晶体管包含有一栅极结构跨越于一鳍状结构上，以及至少一源/漏极区；以及

电阻式随机存取存储器(RRAM),包含下电极、电阻转换层与上电极依序位于该源/漏极区上并电连接于该鳍状晶体管。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该源/漏极区具有一平坦顶面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该鳍状结构包含有部分外延层区域，该源/漏极区位于该外延层区域内，且该电阻式随机存取存储器跨越于该外延层区域。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器直接接触部分该外延层区域。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其中该外延层区域具有一非平坦顶面。

6.如权利要求3所述的半导体结构，其中该外延层区域具有至少一上斜面在[111]平面上及至少一下斜面在[111]平面上。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其中该外延层区域具有一多角形剖面结构。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有介电层，位于该基底上，且该介电层中包含有接触洞，曝露部分该鳍状结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器位于该接触洞内。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其中该鳍状结构包含有一外延层区域，且该接触洞还曝露部分该外延层区域。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器位于该接触洞内。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器直接接触该源/漏极区。

CN109698213A说明书1/5页

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半导体结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一半导体元件，特别是涉及一种包含鳍状晶体管与一电阻式随机存取存储器的结构及其制作方法。

背景技术

[0002]电阻式随机存取存储器(Resistiverandomaccessmemory,RRAM)具有简单结构、低工作电压、高运作速度、良好耐久性且与CMOS制作工艺相容等优点。RRAM是可替代传统的闪存存储器的最有前景的替代物，以达到缩小元件尺寸目的。RRAM正在诸如光盘和非挥发性存储器阵列的各种元件中被广泛应用。

[0003]RRAM单元将数据存储在能够被引发相变的材料层内。在所有或部分的层内，材料可以引发相变，并在高电阻状态和低电阻状态之间互相切换。不同的电阻状态被侦测后，可以表示为0或1。在典型的RRAM单元中，数据存储层包括非晶金属氧化物，在施加足够的电压后，电压可形成跨越过数据存储层的金属桥，也就形成低电阻状态。接着，可以通过施加高电流密度的脉冲或以其他方式，以分解或融化所有或部分的金属结构，使金属桥断裂，并且恢复高电阻状态。然后当数据存储层迅速冷却后，将再次从高电阻状态转变成低电阻状态。

发明内容

[0004]本发明提供一种半导体结构，包含有一鳍状晶体管，位于一基底上，该鳍状晶体管包含有一栅极结构跨越于一鳍状结构上，以及至少一源/漏极区，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM),包含一下电极、