CN109709171A 一种用于微量铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法 （安徽理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109709171A

(43)申请公布日2019.05.03

(21)申请号201910082889.5

(22)申请日2019.01.24

(71)申请人安徽理工大学

地址232001安徽省淮南市泰丰大街168号

(72)发明人胡丽芳何杰朱继超

(51)Int.CI.

GO1N27/26(2006.01)

B82Y15/00(2011.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种用于微量铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法

(57)摘要

本发明属于光电化学传感器领域，公开了一种用于微量铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法，所述制作方法包括步骤：(1)将50mgHNbWO?或HNbMo06分散于50-100mL水中，加入5mL25wt.%的四丁基氢氧化铵，在45℃下搅拌12-24小时，离心得到HNbWO?或HNbMoO?纳米片溶胶；

CN109709171A(2)将洁净的ITO导电玻璃片放置到聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)溶液中浸渍5-25分钟后水洗；(3)将步骤(2)中得到的ITO/PDDA玻璃片放置到HNbWO?或HNbMo06纳米片溶胶中浸渍5-25分钟后水洗；(4)将步骤(3)中得到的玻璃片重复(2)和(3)的过程并循环重复0-9次，干燥，400℃干燥2小时，即得光电化学传感器。本发明制作出的光

CN109709171A

1.0T

1.0T

0.8-

0.6

0.2

0.0↓

CN109709171A权利要求书1/1页

2

1.一种光电化学传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将50mgHNbWO?或HNbMo06分散于50-100mL水中，加入5mL25wt.%的四丁基氢氧化铵，在45℃下搅拌12-24小时，离心得到HNbWO?或HNbMoO?纳米片溶胶；

(2)将洁净的ITO导电玻璃片放置到PDDA溶液中浸渍5-25分钟后水洗；

(3)将步骤(2)中得到的ITO/PDDA玻璃片放置到HNbWO?或HNbMo06纳米片溶胶中浸渍5-25分钟后水洗；

(4)将步骤(3)中得到的玻璃片重复(2)和(3)的过程并循环重复0-9次，干燥，400℃干燥2小时，即得光电化学传感器。

2.一种光电化学传感器，其特征在于，所述光电化学传感器为按照权利要求1所述方法制作而得。

3.根据权利要求2所述的光电化学传感器在选择性检测溶液中微量铜离子并测定其中铜离子含量中的应用。

4.根据权利要求3所述的微量铜离子检测并测定其含量的应用，其特征在于，通过纳米薄膜材料与铜离子的能带匹配，提高电子和空穴的复合来实现。

CN109709171A说明书1/3页

3

一种用于微量铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于电化学传感器领域，涉及有毒重金属的测定方法，具体涉及一种用于微量铜离子检测的光电化学传感器及其制作方法

技术背景

[0002]铜是一种重要的基本元素，在许多生物体内起着酶辅因子的作用，参与了红细胞的形成过程。然而，高浓度的这种离子可能是有害的，会引起咽喉和鼻子的刺激，贫血，骨骼紊乱，呕吐和腹泻。因此，对人体或环境中微量的Cu2+进行监测和定量分析是必要的。

[0003]近年来，对于微量铜离子检测的方法较多，大致包括分光光度计法(E1-ZomrawyAA.SelectiveandsensitivespectrophotometricmethodtodeterminetraceamountsofcoppermetalionsusingAmaranthfooddye[J].SpectrochimicaActaPartAMolecularBiomolecularSpectros