CN109390845A 一种应变锗激光器及其制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109390845A

(43)申请公布日2019.02.26

(21)申请号201811289831.X

(22)申请日2018.10.31

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人孙军强江佳霖

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人李智曹葆青

(51)Int.CI.

H01S5/32(2006.01)

H01S5/22(2006.01)

H01S5/12(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

一种应变锗激光器及其制作方法

(57)摘要

CN109390845A本发明公开了一种应变锗激光器及其制作方法，应变锗激光器从下往上依次为：衬底层、第一键合介质层、第二键合介质层、锗层、绝缘介质层、P电极和N电极；锗层中间凹陷区域通过键合与第一键合介质层结合为一体，第二键合介质层支撑锗层的两端。本发明使用第一键合介质层和第二键合介质层，使得应变锗激光器为非悬空结构，相比于悬空结构的激光器，器件的稳定性和导热性能大幅度提高；同时，非悬空结构使得有源区的下表面得到保护，能够降低载流子的表面复合，从而提高激光器的发光效率；通过保留一段长度为四分之一波长的波导为光栅的相移区，

CN109390845A

CN109390845A权利要求书1/2页

2

1.一种应变锗激光器，其特征在于，所述应变锗激光器从下往上依次为：

衬底层、第一键合介质层、第二键合介质层、锗层、绝缘介质层、P电极和N电极；

锗层中间凹陷区域通过键合与第一键合介质层结合为一体，第二键合介质层支撑锗层的两端。

2.如权利要求1所述的应变锗激光器，其特征在于，所述锗层包括：中间窄两边宽的应变结构、位于所述应变结构中间的脊形波导、刻蚀在所述脊形波导上的光栅、位于所述刻蚀了光栅的脊形波导的两侧或者所述应变结构的窄区域的两端的P型掺杂区和N型掺杂区。

3.如权利要求2所述的应变锗激光器，其特征在于，应变结构两边宽区域为矩形或者宽度渐变的锥形。

4.如权利要求2所述的应变锗激光器，其特征在于，所述光栅为波导侧壁光栅、波导上表面光栅或者深刻蚀弧形光栅。

5.如权利要求4所述的应变锗激光器，其特征在于，光栅为波导侧壁光栅或者波导上表面光栅时，保证光栅在所述应变结构的中间存在四分之一波长的相移。

6.如权利要求1所述的应变锗激光器，其特征在于，第一键合介质层和第二键合介质层为不同的键合材料。

7.一种应变锗激光器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

S1.在衬底层上生长第一厚度的第一键合介质层，得到第一组件，在锗层生长第二厚度的第二键合介质层，得到第二组件，将清洁后的第二组件倒扣在清洁后的第一组件上进行键合，得到第三组件，将第三组件厚度减薄，得到第三厚度的第四组件，第四组件从下往上包括衬底层，第一键合介质层氧化硅，第二键合介质层氧化铝和锗层；

S2.对所述锗层进行掺杂，形成P型掺杂区和N型掺杂区；

S3.刻蚀所述锗层，形成中间窄两边宽的应变结构，刻蚀深度大于所述锗层厚度；

S4.沿所述应变结构的窄区域和宽区域的交界面垂直方向，在锗层刻蚀形成脊形波导，脊形波导宽度小于所述应变结构窄区域的宽度；

S5.在位于所述应变结构的窄区域以及窄区域两端宽区域的脊形波导上刻蚀光栅，保证光栅在所述应变结构的中间存在四分之一波长的相移；

S6.采用各向同性腐蚀，将第二键合介质层的中间部分腐蚀掉，腐蚀的长度大于应变结构的宽区域的长度，得到第五组件；

S7.将第五组件清洗并烘干，烘干过程中，应变结构将被清洗液产生的毛细力拉向衬底层，并在范德瓦尔斯力的作用下，与第一键合介质层紧密结合；

S8.在所述锗层上沉积绝缘介质层；

S9.刻蚀所述绝缘介质层中与P掺杂区和N掺杂区对应的区域，形成电学接触窗口；

S10.在所述电学接触窗口上沉积金属薄膜，形成P电极和N电极。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，应变结构两边宽区域为矩形或者宽度渐变的锥形。

9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，对于波导侧壁光栅，采用等离子体刻蚀部分锗层同时形成脊形波导与光栅，刻蚀深度为锗层厚度的一半；对于波导上表面光栅，光栅与脊形波导通过两次等离子体刻蚀形成，光栅的刻蚀深