CN109813490B 一种mems电容式真空规及其制作方法 （兰州空间技术物理研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109813490B公告日2020.12.08

(21)申请号201811577729.X

(22)申请日2018.12.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109813490A

(43)申请公布日2019.05.28

(73)专利权人兰州空间技术物理研究所

地址730000甘肃省兰州市城关区渭源路

97号

(72)发明人李得天孙雯君王呈祥成永军郭美如袁征难李刚赵澜

(74)专利代理机构北京理工大学专利中心

11120

代理人李爱英郭德忠

(51)Int.CI.

GO1L21/00(2006.01)

审查员路林

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种MEMS电容式真空规及其制作方法

(57)摘要

CN109813490B本发明提供了一种MEMS电容式真空规及其制作方法，能够实现高线性输出以及强抗过载能力。本发明的MEMS电容式真空规，第三电极上为刻有环形槽的硅片，通过环形槽形成中间岛结构，当感压薄膜即第二电极受到压力作用时，与第三电极接触，感压薄膜和第三电极之间有氮化硅层将两者隔绝开来避免了短路，第三电极的中间岛能支撑感压薄膜，能防止感压薄膜在过载情况下由于挠度太大而产生不可逆的损伤。中间岛结构能有效的保护感压薄膜，能够实现高线性输

CN109813490B

312

331

333

CN109813490B权利要求书1/2页

2

1.一种MEMS电容式真空规，包括第一电极，第二电极和第三电极，其特征在于，第一电极为下端面设有条形通槽的玻璃板，所述条形通槽的内底面镀有金属层；第二电极作为感压薄膜，为双面刻有沉槽的硅片，第二电极边缘刻有分别用于放置第一电极和第三电极引线的两个通槽；第三电极为上端面刻有不闭合环形槽的硅片，第三电极边缘刻有分别用于放置第一电极、第二电极以及第三电极引线的三个通槽；第一电极的下端面与第二电极的上端面键合，第二电极的下端面与第三电极的上端面键合；第一电极、第二电极以及第三电极键合后封装在设有进气口的壳体内，所述进气口设置在第一电极和第二电极之间。

2.如权利要求1所述的一种MEMS电容式真空规，其特征在于，第二电极下端面沉槽深度为0.5-2μm。

3.如权利要求1所述的一种MEMS电容式真空规，其特征在于，所述沉槽为圆形、方形、三角形或菱形；所述沉槽为圆形时，上端面沉槽的感测面半径为下端面沉槽感测面半径1-1.2倍。

4.一种MEMS电容式真空规的制作方法，制作如权利要求1所述的MEMS电容式真空规，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1,分别制作第一电极、第二电极以及第三电极；

步骤2,将各个电极键合后封装，得到MEMS电容式真空规；

其中，所述步骤1中第三电极具体制作步骤如下：

步骤31,对用于制备第三电极的100硅片进行标准清洗，获得第三电极硅衬底；

步骤32,在硅衬底上下表面热氧化生长SiO?层，在上表面掩膜光刻显影后用KOH溶液刻蚀；其中，使用掩膜板的形状为缺口环形，使刻蚀后的硅衬底上表面具有不闭合环形槽；其中刻蚀后的环形腔在键合密封后为真空规的密封腔；

步骤33,使用浓硼掺杂工艺制作出导电电极；掺杂窗口为中间岛区间、环形缺口区间以及该区间的等宽延伸面，其中该等宽延伸面连接环形缺口区间与第三电极硅衬底的边缘；

步骤34,使用与掺杂窗口相同形状的掩膜板覆盖，覆盖后在环形腔内镀上金属吸气剂薄膜；

所述步骤1中的第二电极具体制作步骤如下：

步骤21,对用于制备第二电极的100硅片进行标准清洗，获得第二电极硅衬底；

步骤22,在硅衬底上下面热氧化生长SiO?层，在下表面内掩膜光刻沉槽后用KOH溶液浅刻蚀，刻蚀深度为0.5～2μm,得到浅刻蚀窗口；

步骤23,在浅刻蚀窗口上进行掺杂，掺杂深度为8～14μm;

步骤24,对硅片涂胶光刻显影后，在硅片边缘留出金属电极镀层面；使用磁控溅射的方法在浓硼掺杂硅面镀置一层Ti膜后再沉积一层Au薄膜作为电极引线口；

步骤26,使用热氧化方法在下表面生长一层氧化层，光刻刻蚀后裸露出浅刻蚀窗口；在掺杂的窗口上沉积一层氮化硅绝缘层；

步骤27,在上表面涂胶光刻沉槽，显影后将其置入KOH溶液中刻蚀，释放出感压薄膜和引线槽；

步骤28,将制作的感压薄膜置入清洗液中，去掉生长过程中残留的二氧化硅残留物与残留的