CN109802018A 微发光二极管阵列基板的制作方法 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109802018A布日2019.05.24

(21)申请号201910238711.5

(22)申请日2019.03.27

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方光电科技有限公司

(72)发明人田婷窦树谦傅晓亮邓立广

周大勇范志强韩永杰张亚文王忠俊张东刘宇李哲然

金亨奎

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事

务所(普通合伙)11201代理人赵天月

(51)Int.CI.

HO1L33/00(2010.01)

HO1L27/15(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

微发光二极管阵列基板的制作方法

(57)摘要

CN109802018A本发明公开了微发光二极管阵列基板的制作方法。该方法包括：提供基板，基板上具有多个阵列排布的像素单元，像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域，不同颜色的微发光二极管的磊晶层厚度不同；提供第一基板，第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，并将第一基板上的微发光二极管整体转移到基板上与微发光二极管颜色相同的子像素区域处；按照微发光二极管磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移第一基板上微发光二极管的步骤，直至像素单元中的多个子像素区域均设置有颜色与之对应的微发光二极管。由

CN109802018A

S100

S100

提供基板，基板上具有多个阵列排布的像素单元，像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域

S200

提供第一基板，第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，并将第一基板上的微发光二极管整体转移到基板上与微发光二极管颜色相同的子像素区域处

S300

按照微发光二极管磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移第一基板上微发光二极管的步骤，直至像素单元中的多个子像素区域均设置有颜色与之对应的微发光二极管

CN109802018A权利要求书1/2页

2

1.一种微发光二极管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板上具有多个阵列排布的像素单元，所述像素单元包括多个用于承接不同颜色微发光二极管的子像素区域，不同颜色的所述微发光二极管的磊晶层厚度不同；

提供第一基板，所述第一基板上具有多个阵列排布且颜色相同的微发光二极管，并将所述第一基板上的所述微发光二极管整体转移到所述基板上与所述微发光二极管颜色相同的所述子像素区域处；

按照所述微发光二极管的磊晶层厚度依次增大的顺序，多次重复转移所述第一基板上的微发光二极管的步骤，直至所述像素单元中的多个所述子像素区域均设置有颜色与之对应的所述微发光二极管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，位于所述第一基板上，且与位于同一行且相邻的两个所述像素单元相对应的两个所述微发光二极管之间，具有留白区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，具有相同颜色的所述微发光二极管和所述子像素区域中，所述子像素区域的总个数为每个所述第一基板上所述微发光二极管总个数的整数倍。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述微发光二极管包括蓝光微发光二极管、绿光微发光二极管或者红光微发光二极管，所述方法包括：

首先整体转移所述第一基板上的所述蓝光微发光二极管，随后整体转移所述第一基板上的所述绿光微发光二极管，最后整体转移所述第一基板上的所述红光微发光二极管。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述蓝光微发光二极管以及所述绿光微发光二极管是通过以下步骤形成的：

在所述第一基板上生长用于形成所述蓝光微发光二极管或者所述绿光微发光二极管的半导体材料层；

基于所述半导体材料层，利用构图工艺形成多个阵列排布的所述磊晶层；

在所述磊晶层远离所述第一基板的一侧设置第一电极和第二电极，所述第一电极的面积大于所述第二电极的面积。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述红光微发光二极管是通过以下步骤形成的：

在第二基板上生长用于形成所述红光微发光二极管的半导体材料层；

将所述第二基板上的所述半导体材料层，转移到所述第一基板上，并去除所述第二基板；

基于所述第一基板上的所述