CN109801733A X射线吸收光栅制作方法及其x射线吸收光栅 （深圳大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109801733A

(43)申请公布日2019.05.24

(21)申请号201811642783.8

(22)申请日2018.12.29

(71)申请人深圳大学

地址518060广东省深圳市南山区南海大

道3688号

(72)发明人李冀雷耀虎黄建衡刘鑫

(74)专利代理机构深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314

代理人张秋红郭方伟

(51)Int.CI.

G21K1/02(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

X射线吸收光栅制作方法及其X射线吸收光

栅

(57)摘要

CN109801733A本发明公开了一种X射线吸收光栅制作方法及其X射线吸收光栅，制作方法包括步骤：在基底上制作光栅槽或光栅孔，形成光栅槽阵列或光栅孔阵列；有机溶剂、水、表面活性剂清洗基底；金属纳米颗粒加入挥发性溶剂和表面活性剂，制得悬浊液；真空下，将金属纳米颗粒悬浊液填充至光栅微结构中，且金属纳米颗粒沉降填满光栅槽或光栅孔；检测，如填充不均匀或者光栅微结构内没有布满金属纳米颗粒，继续填充；清洗基底表面的金属纳米颗粒。吸收光栅包括基底，基底上设有光栅槽阵列或光栅孔阵列，光栅槽或光栅孔填满金属纳米颗粒。本发明的吸收光栅与熔融金属材料制成的光栅性能相差无几，且制作方法

CN109801733A

CN109801733A权利要求书1/2页

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1.一种X射线吸收光栅制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、光栅微结构制作：根据光栅图形在基底上制作光栅槽或光栅孔，光栅槽或光栅孔排列形成光栅槽阵列或光栅孔阵列；

B、清洗干燥：采用有机溶剂、水、表面活性剂清洗光栅微结构，然后干燥；

C、配置金属纳米颗粒悬浊液：选用金属纳米颗粒，加入挥发性溶剂，并加入表面活性剂，分散后制得均匀分散的金属纳米颗粒悬浊液；其中挥发性溶剂：表面活性剂的体积比为(200:1)-(20:1),金属纳米颗粒选用X射线强吸收金属；金属纳米颗粒的粒径小于槽宽的一半或孔径的一半；

D、预填充及其沉降：真空下，将金属纳米颗粒悬浊液填充至光栅微结构的光栅槽或光栅孔中，并使得金属纳米颗粒沉降填满光栅微结构的光栅槽或光栅孔；

E、重复填充及沉降：检测，如填充不均匀或者光栅微结构内没有布满金属纳米颗粒，继续填充至金属纳米颗粒填满光栅微结构的光栅槽或光栅孔；

F、后处理：清洗基底表面的金属纳米颗粒，得到X射线吸收光栅。

2.根据权利要求1所述的X射线吸收光栅制作方法，其特征在于，所述步骤A中，所述光栅图形是采用掩模版将光栅图形复制到覆盖有光刻胶的基底表面，通过显影、定影将光栅图形固化在基底表面。

3.根据权利要求1所述的X射线吸收光栅制作方法，其特征在于，所述步骤A中，所述基底选用硅基底、锗基底、塑料基底或金刚石基底，采用深反应离子刻蚀沿基底表面的光栅图形向内刻蚀，刻蚀出光栅槽或光栅孔，所述光栅槽或光栅孔与光栅图形对应；

或者，所述步骤A中，所述基底选用晶向(110)硅基，在不需刻蚀的区域使用膜层覆盖，通过KOH溶液或TMAH对不同晶面的腐蚀速率刻蚀出光栅槽或光栅孔，所述光栅槽或光栅孔与光栅图形对应；

或者，所述步骤A中，所述基底选用N型或P型(100)晶向的硅基底，在硅基底背面涂覆形成一层透明导电层，在硅基底的两面施加电场，对硅基底进行刻蚀，刻蚀出光栅槽或光栅孔，所述光栅槽或光栅孔与光栅图形对应。

4.根据权利要求1所述的X射线吸收光栅制作方法，其特征在于，所述步骤B中，所述表面活性剂选用OP10、C0520、聚乙烯醇、NMP、CTAB、DMSO或DMF,所述清洗为超声清洗或振荡清

洗。

5.根据权利要求1所述的X射线吸收光栅制作方法，其特征在于，所述步骤C中，所述表面活性剂选用OP10、C0520,所述X射线强吸收金属选用铋、钨、金或铅。

6.根据权利要求1所述的X射线吸收光栅制作方法，其特征在于，所述步骤D中，所述真空的真空度高于0.1大气压。

7.根据权利要求1所述的X射线吸收光栅制作方法，其特征在于，所述步骤D中，所述金属纳米颗粒的紧密排列指金属纳米颗粒之间的空隙最大值小于10倍的金属纳米颗粒平均粒径。

8.根据权利要求1所述的X射线吸收光栅制作方法，其特征在于，所述步骤E中，检测是指电镜抽样观察金属纳米颗粒在光栅微结构内的分布情况；