CN109813490A 一种mems电容式真空规及其制作方法 （兰州空间技术物理研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109813490A

(43)申请公布日2019.05.28

(21)申请号201811577729.X

(22)申请日2018.12.20

(71)申请人兰州空间技术物理研究所

地址730000甘肃省兰州市城关区渭源路

97号

(72)发明人李得天孙雯君王呈祥成永军郭美如袁征难李刚赵澜

(74)专利代理机构北京理工大学专利中心

11120

代理人李爱英郭德忠

(51)Int.CI.

GO1L21/00(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种MEMS电容式真空规及其制作方法

(57)摘要

CN109813490A本发明提供了一种MEMS电容式真空规及其制作方法，能够实现高线性输出以及强抗过载能力。本发明的MEMS电容式真空规，第三电极上为刻有环形槽的硅片，通过环形槽形成中间岛结构，当感压薄膜即第二电极受到压力作用时，与第三电极接触，感压薄膜和第三电极之间有氮化硅层将两者隔绝开来避免了短路，第三电极的中间岛能支撑感压薄膜，能防止感压薄膜在过载情况下由于挠度太大而产生不可逆的损伤。中间岛结构能有效的保护感压薄膜，能够实现高线性输

CN109813490A

312

331

333

CN109813490A权利要求书1/2页

2

1.一种MEMS电容式真空规，包括第一电极，第二电极和第三电极，其特征在于，第一电极为下端面设有条形通槽的玻璃板，所述条形通槽的内底面镀有金属层；第二电极作为感压薄膜，为双面刻有沉槽的硅片，第二电极边缘刻有分别用于放置第一电极和第三电极引线的两个通槽；第三电极为上端面刻有不闭合环形槽的硅片，第三电极边缘刻有分别用于放置第一电极、第二电极以及第三电极引线的三个通槽；第一电极的下端面与第二电极的上端面键合，第二电极的下端面与第三电极的上端面键合；第一电极、第二电极以及第三电极键合后封装在设有进气口的壳体内，所述进气口设置在第一电极和第二电极之间。

2.如权利要求1所述的一种MEMS电容式真空规，其特征在于，第二电极下端面沉槽深度为0.5-2μm。

3.如权利要求1所述的一种MEMS电容式真空规，其特征在于，所述沉槽为圆形、方形、三角形或菱形；所述沉槽为圆形时，上端面沉槽的感测面半径为下端面沉槽感测面半径1-1.2倍。

4.一种MEMS电容式真空规的制作方法，制作如权利要求1所述的MEMS电容式真空规，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1,分别制作第一电极、第二电极以及第三电极；

步骤2,将各个电极键合后封装，得到MEMS电容式真空规；

其中，所述步骤1中第三电极具体制作步骤如下：

步骤31,对用于制备第三电极的100硅片进行标准清洗，获得第三电极硅衬底；

步骤32,在硅衬底上下表面热氧化生长SiO?层，在上表面掩膜光刻显影后用KOH溶液刻蚀；其中，使用掩膜板的形状为缺口环形，使刻蚀后的硅衬底上表面具有不闭合环形槽；其中刻蚀后的环形腔在键合密封后为真空规的密封腔；

步骤33,使用浓硼掺杂工艺制作出导电电极；掺杂窗口为中间岛区间、环形缺口区间以及该区间的等宽延伸面，其中该等宽延伸面连接环形缺口区间与第三电极硅衬底的边缘；

步骤34,使用与掺杂窗口相同形状的掩膜板覆盖，覆盖后在环形腔内镀上金属吸气剂薄膜。

5.如权利要求4所述的一种MEMS电容式真空规的制作方法，其特征在于，所述步骤33中，掺杂的硼源为固态硼源。

6.如权利要求4所述的一种MEMS电容式真空规的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，将感压薄膜层和第三电极在键合机上固定并对准后，在1200V电压、1×10?1Pa的真空环境、1100℃的温度下，使用熔硅键合工艺进行键合；将第一电极与感压薄膜在大气环境下400℃、1200V电压下进行键合。

7.如权利要求4所述的一种MEMS电容式真空规的制作方法，其特征在于，所述步骤1中的第一电极具体制作步骤如下：

步骤11,对用于制备第一电极的玻璃板进行标准清洗；该玻璃板的下表面具有条形通槽；

步骤12,使用磁控溅射的方法在玻璃板条形通槽的内底面溅射镀一层金属层作为导电电极。

8.如权利要求7所述的一种MEMS电容式真空规的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料为Ti、Ag、Ni或A1,厚度为80～200nm。

CN109813490A